Gann effekti va ko’chkili ko’payish. Reja


-rasm. Emitter zanjiriga rezistor ulangan tranzistor sxemasi. 8-rasm



Download 448.95 Kb.
bet7/8
Sana30.10.2020
Hajmi448.95 Kb.
1   2   3   4   5   6   7   8
7-rasm. Emitter zanjiriga rezistor ulangan tranzistor sxemasi.



8-rasm. Baza potensialining ikki xil qiymatida em itter tokining
UKBkuchlanishga bog‘liqligi

III.Xulosa.

Xulosa qilib aytadigan bo’lsak, elektronikaning boshqa qismlari kabi hozirgi zamonaviy elektronikada Gann nazariyasi ham juda muhim rol o’ynaydi. Yuqoridagilardan kelib chiqadiki, Gann diodi oqim-kuchlanish xususiyatlariga nisbatan salbiy qarshilik maydoniga ega ekanligi haqida bilib oldik. Salbiy GaAs elektrod bilan kritik qiymatga erishilsa, past elektron harakatchanlikka ega bo'lgan maydon paydo bo'ladi. Keyin u ijobiy elektrod tomon siljiydi. Gannli diodlar 10 GGts dan THz gacha bo'lgan chastotalar bilan mikroto'lqinlar ishlab chiqarish uchun salınımlar qurishda ishlatiladi. Bu salbiy differentsial qarshilik qurilmasi, shuninGann diodiek, elektron elektron osilator deb ataladi va u DC kuchlanish kuchiga ega Gann diodidan tashkil topgan sozlangan zanjirdir. Shu bilan birgalikda mustaqil ishni bajarish davomida Gann effektini aniqlash usullaridan bir nechtasini ko’rib chiqdik. Gann effektini aniqlash. : yarimo'tkazgichli qurilmaga qo'llaniladigan kuchlanish kritik qiymatdan oshib ketganda, oqimning tez o'zgarishi ishlab chiqarish, natijada mikroto'lqinli quvvat hosil bo'ladi. Gann elektr ta'minoti: Gann elektr ta'minoti elektron tomonidan boshqariladigan DC quvvat manbai va Gann osilatori va pin modulyatorini bir vaqtning o'zida ishlashi uchun ishlab chiqarilgan kvadrat to'lqin generatoridan iborat. DC voltaji 0 dan 10 voltgacha o'zgaruvchan. Kvadrat to'lqinining chastotasi doimiy ravishda 800 dan 1 00 gacha o'zgarishi mumkin!

Yuqoridagilar bilan bir qatorda “Gann diodi qanday dasturlarga ega ?” degan savolga ham javob topa oldik.

Gannli diodlar 10 GGts dan THz gacha bo'lgan chastotalar bilan mikroto'lqinlar ishlab chiqarish uchun salınımlar qurishda ishlatiladi. Bu salbiy differentsial qarshilik qurilmasi, shuninGann diodiek, elektron elektron osilator deb ataladi va unga DC kuchlanish kuchiga ega Gann diodidan tashkil topgan sozlangan zanjir.

Ko’payish jarayoniga to’xtaladigan bo’lsak, ular ikki xil bo’lib Zener ko’payishi va ko'chkili ko’payishdir. Ko'chkili ko’payish va Zenerning bo'linishi - bu ikki xil mexanizm bo'lib, ular orqali PN aloqasi uziladi. ... Ko'chib ketish elektronlar va teshik juftlarining ionlanishi tufayli, Zener diodi esa kuchli doping tufayli sodir bo'ladi.


Download 448.95 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4   5   6   7   8




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2020
ma'muriyatiga murojaat qiling

    Bosh sahifa
davlat universiteti
ta’lim vazirligi
O’zbekiston respublikasi
maxsus ta’lim
zbekiston respublikasi
axborot texnologiyalari
o’rta maxsus
davlat pedagogika
nomidagi toshkent
pedagogika instituti
guruh talabasi
texnologiyalari universiteti
toshkent axborot
xorazmiy nomidagi
navoiy nomidagi
samarqand davlat
haqida tushuncha
ta’limi vazirligi
toshkent davlat
nomidagi samarqand
rivojlantirish vazirligi
Darsning maqsadi
vazirligi toshkent
tashkil etish
Toshkent davlat
Alisher navoiy
Ўзбекистон республикаси
matematika fakulteti
kommunikatsiyalarini rivojlantirish
bilan ishlash
pedagogika universiteti
sinflar uchun
Nizomiy nomidagi
o’rta ta’lim
таълим вазирлиги
fanining predmeti
maxsus ta'lim
fanlar fakulteti
tibbiyot akademiyasi
ta'lim vazirligi
махсус таълим
umumiy o’rta
Referat mavzu
ishlab chiqarish
haqida umumiy
fizika matematika
Toshkent axborot
vazirligi muhammad
universiteti fizika
Fuqarolik jamiyati
Navoiy davlat