Bipolyar tranzistorlar, ularning tuzilishi va usullari

Bipolyar tranzistorlar, ularning tuzilishi va usullari

Тranzistorlar deb, kirish zanjiridagi tokning o‘zgarishi chiqish zanjiridagi qarshilikning o‘zgarishiga olib keladigan yarimo‘tkazgich asboblarga aytiladi. Ba’zan elektr signallarini kuchaytirishga yoki generatsiyalashga mo‘ljallangan, n-p o‘tuvchi yarimo‘tkazgich asboblariga tranzistorlar deyiladi va ular 3 yoki undan ko‘p uchga ega bo‘ladilar. «Тranzistor» so‘zi inglizcha «transformer of resistance» so‘zidan kelib chiqib, «qarshilikni o‘zgartiruvchi» degan ma’noni anglatadi. Тranzistorlarning quvvati, tebranishlar diapazoni, yasash texnologiyasi va faoliyat prinsipi bo‘yicha turli tavsiflari mavjud. Xalq xo‘jaligida eng ko‘p tarqalgani biрolyar tranzistorlar hisoblanadi (2.18-rasm). Emitter va kollektori teshikli bo‘lgan yoki p elektr o‘tkazuvchanli va bazasi elektron elektr o‘tkazuvchanli tranzistorlarni p-n-p-turidagi tranzistorlar deyiladi (2.19-rasm).

Тranzistor bilan elektrovakuum triodini solishtirganimizda, emitter — katodga, baza — to‘rga, kollektor — anodga to‘g‘ri keladi. To‘rli kuchlanish (kirish) orqali boshqariladigan trioddan farqi, tranzistor kirish toki orqali boshqariladi, shuning uchun tranzistorning kirish zanjirida, uch elektrodli lampalarning kirish zanjiriga nisbatan quvvatdan ko‘proq foydalanish mumkin bo‘ladi. Endi p-n-p-turidagi tranzistorlarning ishlash prinsipi bilan tanishamiz (2.20-rasm). Тranzistorning kollektor (chiqish) zanjiriga o‘tkazmaslik yo‘nalishida Ekb manba ulanadi. Kollektor o‘tish joyida elektr maydonining keskinligi oshadi va kollektor o‘tish joyi orqali asosiy bo‘lmagan tashuvchilarning harakatidan kelib chiqqan kollektor zanjirida kichik teskari tok paydo bo‘ladi. Bu tok kollektorning issiqlik toki deyiladi, chunki uning miqdori haroratga bog‘liq bo‘ladi va Ikbo bilan belgilanadi. Bu qisqacha tranzistorning ishlash prinsiрidir.

Umumiy emitter sxemasi bilan ulangan tranzistorlarning parametrlari va tavsifi

Umumiy emitter bilan ulangan sxemalarda kirish va chiqish zanjirlari uchun umumiy elektrod tranzistorning emitter hisoblanadi (2.21-rasm). Umumiy emitterli sxemalar juda ko‘p tarqalgan. Shuning uchun umumiy emitterli sxemalar uchun

tranzistorlarning statik tavsiflarini o‘rganishga alohida e’tibor berish kerak. Kirish toki bunday sxemalarda — baza toki, chiqish toki — kollektor toki hisoblanadi. 2.22-rasmda MP41 tranzistorining ishlash diagrammasi keltirilgan. Shundan kelib chiqib, umumiy emitter sxemalarida kirish tavsiflari bo‘lib baza tokining Ib kuchlanishdan Ube bog‘liqligi hisoblanadi, bunda: Uke = const bo‘ladi. Baza toki Ib absolut miqdori bo‘yicha doimo emitter tokidan ancha kichik bo‘ladi. Umumiy emitter bilan ulangan sxemalarning umumiy baza bilan ulangan sxemalardan farqi, unda kirish emitter toki bo‘ladi.

Umumiy emitter bilan ulangan sxemalar uchun tranzistorning chiqish tavsifi deb, baza tokining Ib bir necha belgilangan qiymatlar olingan, kollektor tokining Ik kuchlanishga Uke bog‘liqligiga aytiladi (2.23-rasm). Umumiy emitter bilan ishlovchi sxemalar uchun tranzistorning muhim parametri quyidagi koeffitsiyent bilan aniqlanadi:

Umumiy emitter bilan ulangan sxemalarda tokka katta zo‘rlik beriladi.

Тranzistorlarning tuzilishi va ishlash jarayoni, dinistorlar, volt-amper tavsifi

Endi tranzistorlarning ishlash tartibini eng ko‘p tarqalgan umumiy emitter sxemasi bilan ulangan tranzistorlarda ko‘rib chiqamiz. Bu 2.24-rasmda keltirilgan. Eke manba chiqish zanjiriga ulangan, elektron lampalar sxemasida Ea manbaga to‘g‘ri keladi. EYK Eke manba energiyasi hisobiga kirish signali Ukir. quvvati kuchayishi sodir bo‘ladi. EYK Ebe manba elektron lampalarning kuchaytiruvchi sxemalarida to‘rli surilish manbayiga to‘g‘ri keladi, uning yordamida dinamik tavsifda va nagruzka liniyasida boshlang‘ich A' va A ishchi nuqta belgilanadi. Ukir. = 0 bo‘lganda, baza zanjirida Ibo tinch tok oqa boshlaydi, u kollektor zanjirida Iko tokini chaqiradi. Iko toki Ibo baza tokiga to‘g‘ri kelib, chiqish tavsifi bilan nagruzka liniyasi kesishish nuqtasi bilan aniqlanadi. Kirishda o‘zgaruvchan kuchlanish Ukir. paydo bo‘lishi bilan, baza toki Ib.max dan Ib.min gacha atrofida o‘zgaradi, bu dinamik tavsifda va nagruzka liniyalarida B'C' va BC uchastkalar bo‘yicha ishchi nuqtalarning ko‘chishiga olib keladi.

Тranzistorlar epitaksial, plaxarva polevoy bo‘ladi. Polevoy tranzistorlar odatdagi tranzistorlardan ta’sir etish prinsipi bilan farq qiladi. Polevoy tranzistorning chiqish zanjirida elektr-teshik o‘tishi yo‘q, shuning uchun ularni injek- siyasiz tranzistorlar guruhiga kiritiladi. Polevoy tranzistorning statik volt-amper tavsifi 2.25-rasmda ko‘rsatilgan. Undan ko‘rinib turibdiki, tavsifning katta kuchlanishlarida Us kanalning zaryad tashuvchilar tomonidan to‘yinishi sababli gorizontal bo‘lib qoladi. Polevoy tranzistorlar 150 mHz gacha bo‘lgan tebranishlarda yaxshi ishlaydi.