Ўзбeкистон рeспубликаси олий ва ўрта махсус таълим вазирлиги тошкeнт давлат тeхника унивeрситeти “електроника ва автоматика” факултeти

Mashqlar
7.1. Biqutbli tranzistor o‘tish xarakteristikasining ish qismi 7.1-jadvalda keltirilgan tok qiymatlari orqali berilgan.
7.1-jadval

ub, V	0,2	0,24	0,28	0,32
ik, Ma	0,1	0,6	1,9	8,0

Topshiriq: ish qismining o‘rtasida bazadagi U₀ siljishni o‘zgartirib borib, tranzistor xarakteristikasini uchinchi darajali polinom bilan approksimatsiyalansin.

7.2. Biqutbli tranzistor o‘tish xarakteristikasi ish nuqta U₀ atrofida quyidagi uchinchi darajali polinom orqali berilgan:


i_k=0,9+28,3(u_b–U₀)+875(u_b–U₀)²+10400(u_b–U₀)³, mA. (7.1)

Tranzistor bazasidagi kuchlanishning o‘zgaruvchan tashkil etuvchisi 60 va 10 mV amplitudali hamda chastotalari 1 va 0,8 MGs bo‘lgan ikki garmonik tebranishlar yig‘indisiga teng.

Topshiriq: kollektor tokini spektral tahlil qilinsin va spektri qurilsin.

7.3. Oldingi masalada berilgan o‘tish xarakteristikani ikkinchi darajali polinom orqali, tokni 0,2; 0,26; 0,32 V kuchlanishlarda mos kelishini talab etib approksimatsiyalansin. Kollektor tokining spektral tahlilini 7.2-masaladagi ta’sir ostida bajarilsin.Natijalar taqqoslansin.