Ўзбекистон республикаси олий ва ўрта махсус таълим вазирлиги наманган муҳандислик – Қурилиш

Литература 
1. D. Karaboga and B. Akay, "A comparative study of artificial bee colony 
algorithm". Applied Mathematics and Computation, vol. 214 pp. 108-132, 
2009.
2. Т.Ш. 
Гайибов Методы и 
алгоритмы оптимизации режимов 
электроэнергетических систем. – Т.: Изд. ТашГТУ, 2014. 
3. T. Gayibov, B. Pulatov, Sh. Latipov, G. Turmanova. Power System 
Optimization in Terms of Uncertainty of Initial Information. RSES 2019 vol. 
139 31c 
a-Si:H ASOSIDAGI QUYOSH ELEMENTLARINI POTENSIAL 
TO’SIG’INI HOLAT ZICHLIGIGA BOG’LIQLIGINI TADQIQ ETISH. 
akademik S. Zaynabidinov (ADU), dots. U. Boboho’jyev,
katta o’qituvchi A. Nabiyev, magistr A. Suvanov,
magistr A. To’htaraliyev (NamDU) 
 
Mono va polikristall kremniy asosidagi quyosh elementlari hozirgi ishlab 
chiqarilayotgan quyosh elementlarini 80% dan ortig’ini tashkil qiladi. 
Hozirda PERL-konstruksiyali c-Si asosidagi, ya’ni passivlashtirilgan 
emitter va lokal-diffuzion kontaktli quyosh elementlarining foydali ish 
koeffisiyenti 24-26% gacha yetdi [1]. Ammo c-Si asosidagi quyosh 
elementlarining asosiy kamchiligi yuqori tozalikdagi monokristall kremniy ko’p 
ishlatilishi bo’lib, uning asosiy qismi passiv taglik vazifasini bajaradi. Kremniy 

---

115 
quyosh elementlarini tannarxini kamaytirish maqsadida 0,1-3 mkm qalinlikdagi 
(µk-Si:H) mikrokristall [2] va amorf (a-Si:H) [3] kremniylardan foydalanib 
effektivligi 10% bo’lgan quyosh elementlari yaratildi. Juda ko’p nazariy ishlarda 
esa mikrokristall (µk-Si:H), nanokristall (n-Si:H) va amorf (a-Si:H) kremniydan 
tashkil topgan ko’p qatlamli quyosh elementlari uchun nazariy xisoblashlar 
natijasida uch qatlamli geterostrukturalarda foydali ish koeffisiyenti 16-17% ga 
yetkazish asoslab berilgan.
Quyosh elementlarini sonli modellashtirishda zaryadli xolatlarni energetik 
zichligi g(ε) katta ahamiyatga ega. Kristall yarim o’tkazgichlarda zaryadli holatlar 
energetik zichligi modda atomi turiga va kristall panjara parametrlariga bo’gliq 
bo’ladi. Amorf yarim o’tkazgichlarda esa kristallardagi kabi tartib bo’lmaganligi 
uchun zadyadli holatlar energetik zichligi farq qiladi. Ammo ushbu farq nazariy 
hisob kitoblarda to’laligicha hisobga olinmagan. Ma’lumki kristall yarim 
o’tkazgichlardagi p-n o’tish sohasidagi potensial to’siq (diffuzion potensial) 
ifoda orqali aniqlash mumkin [4]. 
Bu yerda 
- kristall yarim o’tkazgich tok tashuvchilarining xususiy 
konsentratsiyasi. 
va 
– esa donor va akseptorlarni to’la konsentratsiyasi. 
Kristall yarim o’tkazgichlarda kiritilgan donor va akseptor aralashmalar aniq 
bir energetik sathda joylashgan bo’ladi va ularning konsentratsiyasini hisoblash 
mumkin bo’ladi. 
Ammo amorf yarim o’tkazgichlar zona strukturasini murakkabligi ushbu 
ifodadan to’g’rida-to’g’ri foydalanish imkonini bermaydi. Chunki legirlash uchun 
kiritilgan donor va akseptor aralashmalar aniq bir sath hosil qilib ular mos ravishda 
amorf yarim o’tkazgichlardagi Fermi sathidan yuqoridagi akseptorsimon yoki 
pastdagi donorsimon zaryadli holatlarni konsentratsiyasini o’zgarishiga olib keladi. 
Bu o’zgarish o’z navbatida Fermi sathini o’tkazuvchanlik sohasi (n-tip) yoki valent 
soha (p-tip) tomonga siljishiga olib keladi. 
Amorf yarim o’tkazgichlar zonalar nazariyasiga ko’ra (1-rasm) Fermi sathi 
atrofidagi zaryadli holatlar zichligi eksponensial taqsimotga, ushbu taqsimot 
bizning avvalgi ishimizda [5] ko’rsatilgan energetik o’ringacha davom etadi.

---

116 
1-rasm. a-Si:H asosidagi quyosh elementlarini harakatchanlik tirqishidagi holat 
zichliklar taqsimoti [7]. 
Taqsimot qonunini bilgan holda akseptorsimon sathlari qabul qilgan 
elektronlar konsentrasiyasini (donor aralashma kiritilgan hol uchun) yoki 
donorsimon sathlar bergan elektronlar konsentrasiyasini (akseptor aralashma 
kiritilgan hol uchun) topish mumkin. 
Buning uchun quyidagi ifodalardan foydalanamiz
 
dE
E
g
E
f
n
E
E
A
A
F


)
(
;
 
dE
E
g
E
f
p
F
E
E
D
D



)
(
]
1
[
Bu yerda 
 
E
g
A
va 
 
E
g
D
- Fermi sathidan yuqoridagi akseptorsimon va pastdagi 
donorsimon energetik zichligi bo’lib, eksponensial qonunga bo’ysunadi. 
 
E
f
A
va 
 
E
f
D
- energetik holatlar taqsimot ehtimolligi bo’lib [6] da keltirilgan.