Ўзбекистон Республикаси Олий ва ўрта махсус таълим вазирлиги Фарғона давлат университети Ижтимоий – иқтисодий факультети Социология йўналиши 2 – босқич талабаласи

FOYDALANILGAN ADABIYOTLAR

• S.F. Amirov va boshqalar. «Elektrotexnikaning nazariy asoslari», T. «Talqin», 2008 yil

• M.S. Yakubov va boshqalar. «Elektrotexnikaning nazariy asoslari va elektr o'lchashlar». T. «O'qituvchi», 2002 yil.

• A.S.Karimov va boshqalar. «Elektrotexnika va elektronika asoslari». T. «O'qituvchi», 1995 yil.

• . ferpi_info @ edu.uz-Farg'ona Politexnika instituti.

Фаргона Политехника Институти

• Энергетика факультети
• << Электроника ва Асбобсозлик >> кафедраси
• Мэтрология, стандартлштириш, махсулот сифати менежменти йуналиши
• Электроника ва электротехника
• фани

• Tranzistor yopiladi. Zatvorda kuchlanish O ga teng bo‘lganida, kanalning kesimi eng katta miqdorgacha oshib boradi, qarshilik Ro eng kam miqdorigacha kamayadi, stok toki maksimal miqdorgacha oshadi. Kirish kuchlanishi yordamida chiqish toki bilan yuqori samarali boshqarish uchun, kanal yaratilgan asosiy yarim o‘tkazuvchini materiali yuqoriomili bo‘lishi kerak, ya’ni aralashmalar konsentratsiyasi yuqori bo‘lmasligi kerak. Shunda yopuvchi qatlam eng katta qalinligida bo‘ladi. Bundan tashqari kanalning o‘zini boshlang‘ich qalinligi (kirish kuchlanishi nol bo‘lganida) yetarlicha kichik bo‘lishi kerak. Stokka yaqinlashgan sari kanal bo‘ylab potensial oshishi sababli, bunda stok yaqinrog‘ida o‘tishni teskari kuchlanishi oshadi va yopuvchi qatlam qalinligi katta bo‘ladi.

• O‘tishni boshqaradigan maydon tranzistorlardan tashqari izolyatsiyalangan zatvorli tranzistorlar deb nomlanuvchilar mavjud. Boshqacha qilib aytganda MDYA tranzistorlari (metall-dielektrik-yarimo‘tkazuvchi). 19-rasmda Bunday tranzistorning tuzilish prinsipi ko‘rsatilgan.

• 19-rasm.

Asos bo‘lib elektr o‘tkazuvchanligi n-tipdagi kremniy plastinkasi xizmat qiladi. Unda yuqori o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan p-tipdagi elektr o‘tkazuvchanligi ikki hududga qaratilgan. Bu hududlar istok va stok bo‘lib va ulardan uchlar chiqarilgan. Stok va istok orasida elektr o‘tkazuvchanligi p-tipdagi yuza ustidagi kanal bor. Shtrixlangan hudud bu kremniy dioksididan dielektrik qatlam (uning qalinligi odatda, 0,1-0,2 mkm dan iborat). Dielektrik qatlami ustida yupqa metall plenka ko‘rinishidagi zatvor joylashgan. Bunday tranzistorning kristalli odatda istok bilan birlashgan va uning potensiali nolki deb qabul qilinadi. Ba’zan kristalldan alohida uch chiqarilgan bo‘ladi. Ko‘rilgan tranzistorni hususiy kanali (o‘rnatilgan) tranzistor deb nomlanadi. Ko‘ramiz, qanday u ishlar ekan.

• Asos bo‘lib elektr o‘tkazuvchanligi n-tipdagi kremniy plastinkasi xizmat qiladi. Unda yuqori o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan p-tipdagi elektr o‘tkazuvchanligi ikki hududga qaratilgan. Bu hududlar istok va stok bo‘lib va ulardan uchlar chiqarilgan. Stok va istok orasida elektr o‘tkazuvchanligi p-tipdagi yuza ustidagi kanal bor. Shtrixlangan hudud bu kremniy dioksididan dielektrik qatlam (uning qalinligi odatda, 0,1-0,2 mkm dan iborat). Dielektrik qatlami ustida yupqa metall plenka ko‘rinishidagi zatvor joylashgan. Bunday tranzistorning kristalli odatda istok bilan birlashgan va uning potensiali nolki deb qabul qilinadi. Ba’zan kristalldan alohida uch chiqarilgan bo‘ladi. Ko‘rilgan tranzistorni hususiy kanali (o‘rnatilgan) tranzistor deb nomlanadi. Ko‘ramiz, qanday u ishlar ekan.

• Agar zatvorga nolli kuchlanish berilgan bo‘lsa, kuchlanish berilgandan keyin stok va istok oralig‘ida kanal orqali tok oqadi, bu tok elektronlar oqimi hisoblanadi. Kristall orqali tok bormaydi, chunki n-p o‘tishlardan biri teskari kuchlanishda bo‘ladi. Istokka nisbatan (demak kristallga nisbatan ham) zatvorga teskari qutbli kuchlanish berilganda, kanalda ko‘ndalang elektr maydoni hosil bo‘ladi, u esa istok hududiga, stokka va kristallga kanaldan elektronlarni itarib chiqaradi.

• Kanal elektronlardan kamayadi, uning qarshiligi oshadi, tok kamayadi. Zatvorda qancha ko‘p kuchlanish bo‘lsa, shunchalik tok kam bo‘ladi. Bunday rejim kambag‘allashish rejimi deyiladi. Agar zatvorga musbat kuchlanish berilsa, bunda maydon ta’siri tufayli stok, istok va kristall hududlaridan kanalga elektronlar kela boshlaydi. Kanal qarshiligi tushib ketadi, tok oshib boradi. Bunday rejim boyitish rejimi deyiladi. Agar kristall p-tipda bo‘lsa, unda kanal n-tipda bo‘lishi kerak va kuchlanishni qutbi teskariga o‘zgaradi.
• Yuqoridagidan u shunday farq qiladiki, zatvor ma’lum bir qutblikda kuchlanish berilgandagina kanal paydo bo‘ladi (20-rasm).