Ўзбекистон алоқа ахборатлаштириш агентлиги

тўйиниш режимида (иккала ўтиш ҳам тўғри йўналишда силжиган), ѐки берк 
режимда (иккала ўтиш тескари силжиган) ишлаши мумкин. 

---

25 
6.2 – расм. 
БТни асосий параметрлари: 
Кириш қаршилиги: 
КИР
КИР
КИР
i
u
R



[Ом] ; 
Чиқиш қаршилиги: 
ЧИК
ЧИК
ЧИК
i
u
R



[Ом] ; 
Ток бўйича кучайтириш коэффициенти:
КИР
ЧИК
I
i
i
К



; 
Кучланиш бўйича кучайтириш коэффициенти:
КИР
ЧИК
U
u
u
К



; 
Қувват бўйича кучайтириш коэффициенти:
U
I
Р
К
К
К


. 
 
 
 
 
 

---

26 
7 – маъруза. 
 
 БТ УЛАНИШ СХЕМАЛАРИ ВА ФИЗИК ПАРАМЕТРЛАРИ
 
БТда электродлар учта бўлгани сабабли, уч хил уланиш схемалари 
мавжуд: умумий база (УБ); умумий эмиттер (УЭ); умумий коллектор 
(УК). Бунда БТ электродларидан бири схеманинг кириш ва чиқиш 
занжирлари учун умумий, унинг ўзгарувчан ток (сигнал) бўйича потенциали 
эса нолга тенг қилиб олинади. БТнинг расмда келтирилган уланиш схемалари 
актив режимга мос. 
а) б) в) 
7.1 – расм. БТнинг статик режимда УБ (а), УЭ (б) ва УК (в) уланиш 
схемалари 
УБ схемаси учун кириш статик характеристикаси бўлиб U
КБ 
= const 
бўлгандаги I
Э
= f (U
ЭБ
) боғлиқлик, УЭ схемаси учун эса U
КЭ
= const 
бўлгандаги 
I
Б
=f(U
БЭ
) 
боғлиқлик 
ҳисобланади. 
Кириш 
характеристикаларининг умумий характери одатда тўғри йўналишда уланган 
p-n билан аниқланади. Шу сабабли ташқи кўринишига кўра кириш 
характеристиклари экспоненциал характерга эга (7.2- расм). 
а) б) 

---

27 
7.2– расм. 
Коллектор ўтишдаги тескари куланишнинг ортиши билан УБ 
схемадаги кириш характеристика чапга, УЭ схемада эса ўнгга силжийди. 
УБ схемадаги транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи бўлиб 
I
Э
=const бўлгандаги I
К
= f (U
КБ
) боғлиқлик, УЭ схемада эса I
Б
=const 
бўлгандаги I
К
= f (U
КЭ
) боғлиқлик ҳисобланади. 
а) 
 
 
 
 
 
б) 
7.3 – расм. 
Чиқиш характеристикалари кўринишига кўра тескари уланган диод 
ВАХ сига ўхшайди, чунки коллектор ўтиш тескари уланган. 
Характеристикаларни қуришда коллектор ўтишнинг тескари кучланишини 
ўнгда ўрнатиш қабул қилинган (4 – расм). 
УЭ схемасида уланган транзисторнинг чиқиш характеристикаси УБ 
схемада уланган транзисторнинг чиқиш характеристикасига нисбатан катта 
қияликка эга. 
УБ схемада уланган, эритиб тайѐрланган n-p-n БТнинг актив режимда 
ишлашини кўриб чиқамиз (7.4 - расм).
БТнинг ишлаши уч ҳодиса ҳисобига амалга ошади: 
- эмиттердан асосий заряд ташувчиларнинг базага инжекцияланиши; 
- базага инжекцияланган ЭЗТларнинг диффузия ва дрейф ҳисобига 
КЎгача етиб келиши; 
- базага инжекцияланган ва КЎгача етиб келган ноасосий заряд 
ташувчиларнинг экстракцияланиши. 

---

28 
7.4 - расм. Актив режим учун кучланиш манбалари қутблари ва
электродлар токлари йўналишлари. 
ЭЎ тўғри силжитилганда (U
ЭБ
таъминот манбаси ҳисобига амалга 
оширилади) унинг потенциал барьери пасаяди ва электронлар эмиттердан 
базага инжекцияланади. Электронларнинг эмиттердан базага ҳамда 
ковакларнинг базадан эмиттерга инжекцияланиши ҳисобига эмиттер токи I
Э
ҳосил бўлади:
Эp
Эn
Э
I
I
I


, (7.1) 
бу ерда I
Эn
, I
Эр
 – мос равишда электронлар ва коваклар инжекция токлари. 
Эмиттер токининг I
Эр
ташкил этувчиси коллектор орқали оқмайди ва 
шунинг учун фойдасиз ток ҳисобланади. I
Эр
қийматини камайтириш учун 
базадаги акцептор киритмалар концентрацияси қиймати эмиттердаги донор 
киритмалар концентрациясига нисбатан икки тартиб кичик қилиб олинади. 
Эмиттер токида электронларнинг инжекция токи I
Эn
улушини