‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X. K. Aripov, A. M. Abdullayev

p — sohaning toidirilgan valent zonasi qarshisida n — sohaning
o'tkazuvchanlik zonasi to'ldirilmagan sathlari yotsin.
/
2.6-rasm. Ko‘chkili teshilishda M va ITESK larning UrESK ga bog‘liqligi.
Teskari kuchlanish b o ‘sag‘aviy kuchlanishdan katta bo'lgan
(UTES > UBo-s) holda p+-n+ —
o ‘tishning energetik diagrammasi 2.7-
rasmda keltirilgan. Bunda elektronning 1 nuqtadan 2 nuqtaga tunnel
o ‘tishi strelka bilan ko‘rsatilgan. p — yarimo'tkazgichning valent
zonasidagi elektron EZT emas ekanligini ta’kidlab o'tamiz. U n —
yarimo'tkazgichning o ‘tkazuvchanlik zonasiga o ‘tgandan keyingina
o‘zini EZTdek tutadi. Shunday qilib, valent elektronning p — sohadan
n - sohaga tunnel o ‘tishi natijasida teskari tok qiymatiga ulush
qo‘shuvchi elektron-kovak juftligi generatsiyalanadi.
0 ‘tkazuvchanlik elektronlarining n - yarimo‘tkazgichdan p -
yarimo‘tkazgich valent zonasi vakant (bo‘sh) sathlariga tunnel o ‘tishi
elektron-kovak juftliklaming rekombinatsiyalanishiga va o ‘z navbatida,
teskari tokning kamayishiga olib keladi. Elektron-kovak juftliklariningwww.ziyouz.com
kutubxonasi
р + п +
W cp
2.7-rasm. Teskari kuchlanish berilganda p+-n+ — o‘tishning energetik
diagrammasi.
generatsiyalanish jadalligi rekombinatsiyalanish jadalligiga nisbatan
ancha yuqori. Teskari kuchlanish ortishi bilan tunnellashuv intervali
(oralig‘i) va undagi elektronlar soni ortishi hisobiga tunnel tok keskin
ortadi.
Tunnel teshilish teskari tokining teskari kuchlanish UTESK ga
bog‘liqligi ko‘chkili teshilishdagiga o ‘xshash bo‘lib (2.5-rasm), tikligi
kichikroqdir.