Законы сохранения в механике статика и гидродинамика механические колебания и волны основы термодинамики

8. Закончите предложение. При прямом р-n переходе запирающий 
слой в полупроводнике ... . 
А) ... расширяется.
В) ... сжимается.
С) ... остается без изменения.
D) ... в зависимости от величины напряжения линейно изменяется.
9. Сколько электронов участвуют в ковалентной связи?
A) 1 шт; 
B) 2 шт; 
C) 3 шт; 
D) 4 шт.
10. Какой полюс батарейки надо подключить к базе транзистора, 
чтобы при 
n-р-n
переходе через эмиттер пошел ток?
А) положительный; 
С) нулевой;
В) отрицательный; 
D) не имеет значения. 

---

170
Основные понятия, правила и законы, изученные в главе IX
Термоэлектронная 
эмиссия
Явление выбивания электронов из металла в 
результате его нагревания.
Электрический ток в 
вакууме
Заключается в движении в одном направлении 
потока электронов и ионов.
Двухэлектродная 
электронная лампа
Вакуумная лампа – диод, состоящая из анода и 
катода.
Ток насыщения
Все электроны, покидающие катод, достигают
анода, а анодный ток остается без изменения.
Формула 
Богуславского-
Ленгмюра
I
a
= 
kU
 
3/2
. Зависимость силы тока, проходящего 
через вакуумный диод, от анодного напряжения.
Зависимость сопро -
тивления металли-
ческих проводников от 
температуры
R
= 
R
0
(1 + 
αt
); 
R
0
–0
o 
C сопротивление проводника 
при
R –
сопротивление при температуре 
t
, 
α
– температурный коэффициент сопротивления.
Сверхпроводимость
Резкое уменьшение сопротивления проводника до 
нуля при понижении температуры.
Электронная 
проводимость.
(проводимость
n
-типа)
Появление тока в полупроводнике в результате 
перемещения свободных электронов.
Дырочная проводи-
мость ( проводимость 
р
-типа).
Свободное место, образованное в результате не-
хватки электрона в ковалентной связи, назы-
вается дыркой. Под воздействием электрического 
поля дырки перемещаются в полупроводнике, и 
возникает дырочная проводимость.
Собственная 
проводимость в 
полупроводниках
Пропускание электрического тока в результате 
перемещения в полупроводнике свободных 
электронов и дырок в равных количествах.
Донорные примеси
Примеси, при добавлении которых чистые 
полупроводники легко отдают электроны. При 
этом образуется проводимость 
n
-типа.

---

171
Акцепторные примеси Примеси, при добавлении которых в чистых 
полупроводниках не хватает одного электрона 
для ковалентной связи и образуются дырки. При 
этом возникает проводимость 
р
-типа.
Запирающий слой
Область, образуемая на границе полупроводника 
с одной стороны 
n
-типа, с другой стороны 
р
-типа, где не будет заряженных частиц.
Прямой 
р-n
– переход Прохождение 
тока 
через 
полупроводник, 
состоящий из кристаллов 
n
-типа с одной стороны 
и 
р
-типа с другой стороны, когда на анод 
(
р
-область) подается положительный потенциал, 
а на катор 
n
-область – отрицательный, в 
результате чего происходит сужение запи-
рающего слоя и через него проходят носители 
заряда.
Обратный 
р-n
– 
переход 
Непрохождение тока через полупроводник в 
результате увеличения запирающего слоя при 
подключении к 
р
-области) отрицательного 
потенциала, а к катоду 
n
-области поло жительного 
потенциала.
Полупроводниковый 
диод
Полупроводниковый прибор, имеющий один 
р-n
переход. 
Условный знак 
.
Транзистор
Полупроводниковый прибор, имеющий два 
р-n
- 
перехода. Различают структуры
р-n-р
и 
n-р-n
.
Интегральная 
микросхема (ИМС)
Микроэлектронное устройство, состоящее из 
многочисленных элементов, очень компактно 
расположенных на полупроводниковой подложке.

---

172