Законы сохранения в механике статика и гидродинамика механические колебания и волны основы термодинамики

эмиттер
и 
коллектор.
Транзистор такого типа на зывается 
 
р­n­р
 
транзистором
(рис. 9.12 
а
).
Транзистор 
изготавливают 
таким 
образом, чтобы концентрация дырок в области эмиттера в несколько 
раз превышала концентрацию электронов базы. Условное обозначения 
транзистора приводится на рис. 9.12
б
. Посмотрим, как работает транзистор 
(рис. 9.13).
р-n
n
p
а)
b)
Рис. 9.11.

---

164
Напряжение батарейки 
В
1
, подключенной между эмиттером и 
базой, создает прямой
р-n
переход. Батарейка 
В
2
между коллектором и 
базой создает обратный 
р-n
переход. Каким образом появляется ток в 
коллекторе? Под действием напряжения, приложенного между базой и 
эмиттером, дырки входят в базу. Так как база транзистора очень тонкая 
и концентрация электронов невелика, только малое количество дырок 
соединяется с электронами. Большинство дырок переходят в область 
коллектора. 
К коллектору подключен отрицательный полюс батарейки 
В
2
и дырки, 
подтягиваясь к нему, создают коллекторный ток. Сила тока в цепи 
эмиттер-база будет намного меньше, чем сила тока по направлению 
эмиттер-коллектор. По этой причине транзисторами пользуются для 
усиления сигналов переменного тока. 
При изготовлении транзистора в качестве базы можно использовать 
полупроводник 
р
-типа. В этом случае области эмиттера и коллектора 
изготавливаются из полупроводника 
n
-типа. Такой транзистор называется 
 
n­p­n
 транзистором.
Принцип работы транзисторов такого типа не отличается от 
транзистора типа – 
р-n-р
. В этих транзисторах ток направлен от 
коллектора в сторону эмиттера.