Yarim o`tkazgichlarda yorug`likning yutilishi reja

Tashqi yarim o'tkazgichlar
Ads by optAd360
Ular ichki Supero'tkazuvchilar tarkibiga kirlarni kiritish orqali mos keladi; ya'ni uch valentli yoki besh valentli elementlarni kiritish orqali.
Ushbu jarayon doping deb nomlanadi va uning maqsadi materiallarning o'tkazuvchanligini oshirish, ularning fizikaviy va elektr xususiyatlarini yaxshilashdir.
Ichki yarim Supero'tkazuvchilar atomini boshqa tarkibiy qismdagi atom bilan almashtirish orqali quyida keltirilgan ikki turdagi yarimo'tkazgichlarni olish mumkin.
P tipidagi yarimo'tkazgich
Bunday holda, nopoklik uch valentli yarimo'tkazgich elementidir; ya'ni valentlik qobig'ida uchta (3) elektron mavjud.
Strukturadagi intruziv elementlar doping elementlari deb ataladi. P-tipli yarimo'tkazgichlar uchun ushbu elementlarning misollari bor (B), galliy (Ga) yoki indiy (In).
Ads by optAd360
Ichki yarimo'tkazgichning to'rtta kovalent bog'lanishini hosil qilish uchun valentli elektron yo'qligi, P tipidagi yarimo'tkazgich etishmayotgan bog'lanishda bo'shliqqa ega.
Yuqorida aytilganlar, musbat zaryadni ko'taradigan ushbu teshik orqali kristalli panjaraga tegishli bo'lmagan elektronlarning o'tishini amalga oshiradi.
Ads by optAd360
Bog'lanish teshigining ijobiy zaryadi tufayli ushbu turdagi o'tkazgichlar "P" harfi bilan belgilanadi va shuning uchun ular elektron qabul qiluvchilar sifatida tan olinadi.
Bog'dagi teshiklardan elektronlar oqimi erkin elektronlardan hosil bo'lgan oqimga teskari yo'nalishda aylanadigan elektr tokini hosil qiladi.
N tipidagi yarimo'tkazgich
Konfiguratsiyadagi intruziv element besh valentli elementlar tomonidan berilgan; ya'ni valentlik zonasida beshta (5) elektronga ega bo'lganlar.
Bunday holda, ichki yarimo'tkazgich tarkibiga kiradigan aralashmalar fosfor (P), antimon (Sb) yoki mishyak (As) kabi elementlardir.
Dopantlarning qo'shimcha valentli elektroni bor, u bilan bog'lanish uchun kovalent bog'lanish yo'q, avtomatik ravishda kristalli panjara orqali harakatlanadi.
Bu erda, elektr toki dopant tomonidan taqdim etilgan ortiqcha elektronlarning ortiqcha qismi tufayli material bo'ylab aylanadi. Demak, N tipli yarimo'tkazgichlar elektron donorlar hisoblanadi.