Yarim o’tkazgichlar ha

n_oi = p_oi ;

n_oi + p_oi = 2n_oi .

Solishtirma o’tkazuvchanlik quyidagicha bo’ladi:

_= eu_oi u_n + ep_oi u_p

bunda: u_n , u_p – mos ravishda elektron va teshikning siljituvchanligi. G’alayonlantirish va rekombinatsiya jarayonlari natijasida jismda (istalgan

haroratda) g’alayonlantirilgan eltuvchilar (elektronlar yoki teshiklarning muvozanatlashgan miqdori qaror topadi:

W
n_oi 2N_o exp(_2kT);


W
p_oi 2N_u exp(_2kT),

^bunda: W- yarim o’tkazgich ta’qiq zonasi; N_B – ozod (o’tkazuvchan) zonadagi yarim o’tkazgichning hajm birligidagi energetik zonadagi yarim o’tkazgichning hajm birligidagi energetik sathlar soni; N_B – valent zonasidagi, xuddi shuningdek sathlar soni; 2 raqami N oldidagi har bir sathda ikkita elektron bo’lishini ko’rsatadi. Elektronlarning siljituvchanligi (u_p) teshiklarning siljuvchanligi (u_p) dan ancha katta bo’ladi, shuningdek, ularning effektiv massalari ham bir-biridan farq qiladi. Shu bois yarim o’tkazgichlarning elektr o’tkazuvchanligi elektron harakterga moyil bo’ladi.