X. K. Aripov, A. M. Abdullaev, N. B. Alimova

Ito’g’ cheg, mA	Utesk cheg, V	fmax, kGs
 tikl., mks
D2 ye	Ge, nuqtaviy	16	50		3
D2 J	Ge, nuqtaviy	8	150		3
D7 G	Ge, qotishmali	300	200	2,4
D7 J	Ge, qotishmali	300	400	2,4
D9 ye	Ge, nuqtaviy	20	30		3
D104	Si, mikroqotishmali	30	100	150	0,5
D226	Si, qotishmali	300	200	1,0
KD503 A	Si, planar -epitaksial	20	30		0,01
D312	Ge, diffuzion	50	75		0,7

I2. Stabilitronlar va stabistorlar

Diod turi	Tuzilishi	Ust, V	Ict min, mA	Ict max, mA	rD, Om
D814 B	Si, qotishmali	8...9,5	3	36	10
D814 D	Si, qotishmali	11,5...14,0	3	24	18
KS156 T	Si, diffuzion-qotishmali	5,6	1	22,4	100
D219 C	Si, mikroqotishmali stabistor	0,57	1	50
KC113 A	Si, diffuzion-qotishmali stabistor	1,17...1,8	1	100	80

I3. Bipolyar tranzistorlar

Tranz. turi	Tuzilishi	h21E	fh21E(fT), MGs	Ik.cheg, mA	Uk.cheg, V	Rk cheg, mVt	k, mks	Sk (10V), pF
MP37B	n-r-n, Ge, qotishmali	20-50	1,0	20	15	150		40
MP39B	r-n-r, Ge, qotishmali	20-50	0,5 1,5	20	20	150		40
KT315B	n-r-n, Si, planar -epitaksial	50-350	(250)	100	20	150	0,5	7
KT361B	r-n-r, Si, planar -epitaksial	50-350	(250)	50	20	150	0,5	9

(TR 2) MP 37 (TR 27) KT 315

MP 39 KT 361


I4. Maydoniy tranzistorlar

Tranz. turi	Tuzilishi	Ic cheg (Ic boshl.)	Usi cheg, V	Rs cheg, mVt	Szi, pF	Szs, pF	Ssi, pF	rk, Om	Uberk, V
KP103I	n-r o’tishli r-kanalli	(0,8-1,8)	12	21	20	8	-	30	0,8-3
KP103E	n-r o’tishli r-kanalli	(0,4-1,5)	10	7	20	8	-	50	0,4-1,5
KP103M	n-r o’tishli r-kanalli	(5-7,5)	10	120	20	8	-	60	3-5
KP301B	r-MDYA, kanali indutsiyalangan	15	20	200	3,5	1	3,5	100	-4
KP305D	n-MDYA, kanali qurilgan	15	15	150	5	0,8	5	80	-6

(TR 67) KP 103 (TR 69) KP 305 (TR 71) KP 301

I5. Integral mikrosxemalar
Laboratoriya ishlarida tadqiq etilayotgan barcha mikrosxemalar 201.14.1-201.14.9 turdagi 14 chiqishli 2 qator qilib joylashtirilgan to’g’ri burchakli plastmassa yoki sopol qobiqda bajarilgan (maxsus belgisi 1-chiqish yaqinida nuqta ko’rinishida bajarilishi mumkin).

201.14.1-201.14.9 korpus (yuqoridan ko’rinishi)

K140UD20. Ikkilangan operatsion kuchaytirgich

1 (7) – OK inverslovchi kirishi

2 (6) – OK inverslamaydigan kirishi

4 – “-Up” manba ulash uchun chiqish

12 (10) – OK chiqishi

13 (9) - “QUp” manba ulash uchun chiqish

(Qavs ichidagi raqamlar shu kristallda

joylashtirilgan ikkinchi OKga

tegishli)

K553UD2; KR1408UD1 Operatsion kuchaytirgichlar


Laboratoriya ishlarida tadqiq etilayotgan OK asosiy parametrlari

OK turi

Kyv 10^3

Usm, mV

Ikir, mkA

Ikir, mkA

f1, MGs

Ucheg.chiq, vG’mks

Kta sf dB

Ukir, V

Ukir sf, V

Um, V

K553UD2

20

7,5

1,5

0,5

1

0,5

70

10

10

Q(6-15)

K140UD20

50

5

0,2

0,05

0,55

0,3

70

12

11

Q(6-15)

K176LP1 KMDYA tuzilishli universal mantiqiy element (mos keluvchi kommutatsiyada uchta EMAS elementi, katta tarmoqlanish koeffitsientiga ega bo’lgan EMAS elementi, 3HAM-EMAS elementi, 3YOKI-EMAS elementi va triggerli yacheyka sifatida qo’llanilishi mumkin).

Asosiy elektr parametrlari

Kuchlanish manbai U_mq9VQ5%,

Mantiqiy signal sathlari U⁰_ChIQ  0,3V; U¹_ChIQ  8,2V;

iste’mol qilinayotgan tok: 0,3 mA dan katta emas;

signal tarqalishining o’rtacha kechikish vaqti  200 ns

Ishlash qobiliyati manba kuchlanishi 5Vgacha pasayguncha saqlanadi. Kirish signallarining ruxsat etilgan diapazoni (0dan U_m gacha).

FOYDALANILGAN ADABIYOTLAR
1. A.G. Morozov. Elektrotexnika, elektronika i impulsnaya texnika. – M.: Vo’sshaya shkola, 1987.
2. A.G, Aleksenko, I.I. Shagurin. Mikrosxemotexnika. – M.: Radio i svyaz, 1990.
3. D.V. Igumnov, G.V. Korolev, I.S. Gromov. Osnovo’ mikroelektroniki. – M.: Vo’sshaya shkola, 1991.
4. YU.F. Opadchiy, O.P. Gludkin, A.I. Gurov. Analogovaya i sifrovaya elektronika. – M.: Goryachaya liniya – Telekom, 2003.
5. Stepanenko I.P. Osnovo’ mikroelektroniki: Uchebnoe posobie dlya vuzov. – 2-e izd., pererab. i dop.- M.: Laboratoriya Bazovo’x Znaniy, 2001.
6. YU.L. Bobrovskiy, S.A. Kornilov, I.A. Kratirov i dr.; Pod red. prof. N.F. Fedorova. Elektronno’ye, kvantovo’ye priboro’ i mikroelektronika: Uchebnoe posobie dlya vuzov.- M.: Radio i svyaz, 2002.

MUNDARIJA

Kirish....................................................................................................	3
I BOB. YArim o’tkazgichli asboblar
1.1. Energetik zonalar.....……………………………….....................	5
1.2. Xususiy elektr o’tkazuvchanlik.....…………….. .........................	6
1.3. Kiritmali elektr o’tkazuvchanlik................................................	8
II BOB. Elektron – kovak o’tish
2.1. p-n o’tishning hosil bo’lishi........................................................	13
2.2. p-n o’tishning to’g’ri ulanishi..... ……………………….………	15
2.3. p-n o’tishning teskari ulanishi ………………….....…….........	16
2.4. p-n o’tishning volt – ampernaya xarakteristikasi (VAX) …..	17
2.5. r – n o’tish teshilish turlari...............………………………….	20
III BOB. YArim o’tkazgichli diodlar.
3.1. To’g’rilovchi diodlar.......…………..…….....................................	21
3.2. Stabilitronlar…………………….............................................	22
3.3. Varikaplar….…………………………………………………….	23
3.4. Tunnel diodlari………………………………………………	23
3.5. Generator diodlari……..…………….......................................	24
3.6. Optoelektronika diodlari.......…….............................................	24
3.7. Optronlar………………………………………………………..	26
IV BOB. Bipolyar tranzistorlar
4.1. Umumiy ma’lumotlar………………………...............................	28
4.2. BT ulanish sxemalari…….……….............................................	29
4.3. BT statik xarakteristikalari ...…….………………………...	32
4.4. BT fizik parametrlari.... ………………………………………	34
V BOB. Maydoniy tranzistorlar
5.1. Umumiy ma’lumotlar...………….………………………………	37
5.2. MT statik xarakteristikalari...……………………………….	39
5.3. MT asosiy parametrlari..........………………………………….	40
5.4. Kanali induksiyalangan MDYA – tranzistor ......….……………	41
5.5. Kanali qurilgan MDYA - tranzistor .......………………………	42
VI BOB. Keng polosali kuchaytirgichlar
6.1. BTda yasalgan kuchaytirgich bosqichi……………………………..	45
6.2. MTda yasalgan kuchaytirgich bosqichi …………………………...	50
6.3. Ko’p bosqichli kuchaytirgichlar…………………………………..	51
6.4. Analog integral mikrosxemalarning chiqish bosqichlari (quvvat kuchaytirgichlari)…………………………………………….	52
6.5. Emitter qaytargich............………………………………………..	54
VII BOB. Integral mikrosxemalar
7.1. IMS haqida umumiy ma’lumotlar..…………………................	57
7.2. Pardali va gibrid IMSlar...…………………………………..	58
7.3. YArim o’tkazgichli IMSlar ………………………………………	58
VIII BOB. Kuchaytirgich qurilmalari sxemotexnikasi
8.1.Kuchaytirgichlarning asosiy parametrlari va xarakteristikalari..............................................................................	63
8.2. Komplementar emitter qaytargich...................………………….	66
8.3. Balans sxemalar asosidagi kuchaytirgich.....................................	67
8.4. Barqaror tok generatori.....…………………………….……….	68
8.5. O’zgarmas kuchlanish sathini siljitish qurilmasi……………	69
8.6. Differensial kuchaytirgichlar………………………………….	70
8.7. Operatsion kuchaytirgichlar……………………………………..	73
IX BOB. YArim o’tkazgichli statik raqamli integral mikrosxemalar sxemotexnikasi
9.1. Raqamli texnika asoslari..……………………………………..	81
9.2. Mantiqiy IMS parametrlari……....…………………………	83
9.3. Bipolyar tranzistorlarda yasalgan kalit sxemalar ……………	84
9.4. Maydoniy tranzistorlarda yasalgan kalit sxemalar …………	86
9.5. Mantiqiy integral mikrosxemalarning negiz elementlari....	89
X BOB. Laboratoriya ishlari
1 – laboratoriya ishi. YArim o’tkazgichli diod xarakteristika va parametrlarini tadqiq etish..............................................................	97
2 – laboratoriya ishi. Bipolyar tranzistor statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish.......................
3 – laboratoriya ishi. Maydoniy tranzistorni tadqiq etish….......	101
4 – laboratoriya ishi. Operatsion kuchaytirgich parametrlarini tadqiq etish............................................................................................	106
5 – laboratoriya ishi. Maydoniy tranzistorda bajarilgan kalit sxemalarni tadqiq etish......................................................................	112
6 – laboratoriya ishi. Tranzistor – tranzistorli mantiq integral mxemalarini tadqiq etish...................................................	117
7 – laboratoriya ishi. Integral optronlarni tadqiq etish.............	119
Ilova..........……………………………………………………………	123
Foydalanilgan adabiyotlar ……… ....................................................	129

O’quv nashri

2007-2008 o’quv yili

Xayrulla Kabilovich Aripov

Axmed Mallaevich Abdullaev

Nodira Batirdjanovna Alimova


ELEKTRONIKA

VA

SXEMOTEXNIKA
5521900 “Informatika va axborot texnologiyasi”

5523600 “Elektron tijorat”

5523500 “Axborot xavfsizligi”

5522200 “Telekommunikatsiya”

5522100 “Televidenie, radioaloqa va radioeshittirish”

5522000 “Radiotexnika”

5140900 “Kasb ta’limi” (telekommunikatsiya)

5521900 “Kasb ta’limi” (informatika va axborot texnologiyalari)

yo’nalishlarida ta’lim olayotgan bakalavrlar uchun
o’quv qo’llanma

Nashrga ruxsat berildi Ofset qog’ozi. Buyurtma № Bosma. Tiraj nusxa

Toshkent axborot texnologiyalari universiteti

(TATU Ilmiy – uslubiy kengashining

dagi № - sonli bayonnomasi)

tomonidan nashrga tavsiya etilgan

javobgar muxarrir