Структура и электрические свойства тонких пленок (ZnO/SiO2)25


Электрические свойства



Download 0,88 Mb.
bet5/11
Sana24.02.2022
Hajmi0,88 Mb.
#227644
1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11
3.2.

Электрические свойства




















































синтезированных пленок









Рис. 1. a — картины рентгеновской дифракции от тонкой пленки ZnO и гетероструктуры (ZnO/SiO2)25 с толщиной бислоя hbl = 8.72 нм (на вставке показаны картины рентге-новской дифракции гетероструктур (ZnO/SiO2)25 с различной толщиной бислоя, измеренные в области малых брегговских углов); b — ПЭМ-микрофотография поперечного сечения и картина дифракции электронов от тонкой пленки (ZnO/SiO2)25 с hbl = 7.76 нм.
3. Экспериментальные результаты


3.1. Структура синтезированных пленок

На рис. 1, a приведены данные рентгеновской ди-фракции гетероструктур (ZnO/SiO2)25. В области углов





  • = 30−40 на картинах рентгеновской дифракции тонких пленок (ZnO/SiO2)25 имеется один широкий максимум (рис. 1, a), положение которого соответствует




  • ≈ 34 и не зависит от толщины бислоя. Положение и форма пика хорошо согласуются с положением рефлекса (002) ZnO, полученного в аналогичных условиях (верх-няя панель рис. 1, a) [12], что может свидетельствовать о том, что пленки (ZnO/SiO2)25 являются нанокристал-лическими.

Наличие брегговских пиков в области малых углов указывает на формирование периодической слоистой


На рис. 2 представлены результаты измерений элек-трического сопротивления синтезированной структуры от толщины бислоя hbl . Измерения удельного электро-сопротивления при приложении электрического поля в направлении, параллельном плоскости слоев, показали, что проводимость пленок с увеличением толщины бис-лоя увеличивается, что является следствием небольшого уменьшения толщины прослойки SiO2 и увеличения толщины прослойки ZnO.


Для установления основных механизмов проводи-мости в синтезированных пленках (ZnO/SiO2)25 были исследованы температурные зависимости электрическо-го сопротивления в диапазоне температур 77−300 K (рис. 2, b). Из рисунка видно, что зависимости ρf (T ) имеют отрицательный температурный коэффициент со-противления (ТКС), что свойственно полупроводнико-вым материалам. С увеличением толщины бислоя hbl ТКС в исследуемом температурном диапазоне умень-шается.


Полученные экспериментальные зависимости (рис. 2, b) для пленок (ZnO/SiO2)25 были перестроены



  • координатах ln(ρ) ∝ f (1/T n), где показатель n

принимал значения 1/4, 1/2, 1, а также ln(ρ) ∝ f (ln T )



  • (ρ) ∝ f ln(T ) . Анализ экспериментальных данных рис. 2, b показал, что в области температур 77−250 K удельное электрическое сопротивление удовлетвори-тельно описывается прямой линией в координатах

4 Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, вып. 11



1508


Download 0,88 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish