Oʼrtа mаxsus tаъlim vаzirligi zаhiriddin muhаmmаd bobur nomidаgi

2.1.2-расм. турли ҳароратларда яримлогарифмик (а) ва (б) оддий машстабдаги n-GaAs–р-(GaAs)_1-x-y(Ge₂)_x(ZnSe)_y гетеротузилмаси вольтампер характеристикасининг тўғри йўналиши, ^оС: 1-25, 2-50, 3-75 , 4-100, 5-125, 6-150 [93; 45-49 бб.].

Холл усули ёрдамида аниқланган асосий ток ташувчилар – ковакларнинг ҳаракатчанлиги p = _р = 355 см²/В∙с га тенг бўлиб, ноасосий заряд ташувчиларнинг ҳаракатчанлиги қиймати _n = b∙_р = 2200 см²/В∙с га тенглиги аниқланди.

2.1-жадвал
(GaAs)_1-x-y(Ge₂)_x(ZnSe)_y қаттиқ қоришмасининг характерли қийматлари
[83; 43-45 бб.]

t, ^ОС	25	50	75	100	125	150
I0, А	28.7∙10^-6	31.8∙10^-6	36.4∙10^-6	41.4∙10^-6	45.8∙10^-6	49∙10^-6
C	16.5	15.3	14.37	13.5	12.8	11.9
B	6.2	6.8	7.4	8	8.6	9.5
ρ, Ом∙см	54.1∙10^6	52,9∙10^6	50,8∙10^6	48,3∙10^6	46,9∙10^6	46,1∙10^6

Асосий ток ташувчиларнинг яшаш вақти ва ҳаракатчанлиги маҳсули (_p_p) қуйидаги формула билан ҳисобланиши мумкин:
. (2.1.12)
Хона ҳароратида асосий ташувчиларнинг яшаш вақти ва ҳаракатчанлиги маҳсули (_p_p) қиймати 8,4·10^-6 см²/В∙с га тенг. Ўз навбатида бу қиймат асосий заряд ташувчилар яшаш вақтининг аниқлаш имконини беради яъни унинг қиймати ~ τ_p = 2,37·10^-8 с.
(2.1.11) формуладаги I₀ экспонентаси олд кўрсаткичи қуйидаги кўринишни қабул қилади:
(2.1.13)
Бу ерда,  - GaAs таглик ва (GaAs)_1-x-y(Ge₂)_x(ZnSe)_y эпитаксиал қатлам орасидаги ўтувчи қатламнинг (яъни p-n ўтиш) солиштирма қаршилиги. ВАХ чизиқларининг экспериментал нуқталаридан аниқланган I₀ нинг хона ҳароратида қиймати 28,7·10^-6 А га тенг. (2.1.13) тенглама ва жадвалдаги маълумотлардан фойдаланиб таглик ва эпитаксиал плёнка орасидаги ўтиш қатламининг қаршилиги ҳисобланиб, хона ҳароратида қиймати 54,1·10⁶ Ом∙см ни ташкил иши кўрсатилди. 2.1-жадвалда ҳам ҳароарат ортиши билан эпитаксиал қатлам ва таглик орасидаги қаршиликнинг камайши келтирилган. Ўрганилган ҳарорат оралиғидаги ВАХ нинг экспоненциал боғланишидан кейин субчизиқли соҳа пайдо бўлади [88; п. 1066-1070], бу ерда амалдаги кучланиш ортиши билан ток қиймати оз миқдорда ўзгаради. (2.2.2-б расм). (2.1.8) ифодадан фойдаланиб, ВАХ нинг субчизиқли соҳасидан бевосита "а" параметрнинг қийматини аниқлаш мумкин [88; 1066-1070 бб.]:
, (2.1.14)
бу ерда ВАХ нинг сублчизиқли соҳаларининг икки кетма-кет экспериментал нуқталарида V₁, V₂ кучланишлардаги I₁, I₂ ток қийматлари. Заряд ташувчиларнинг диффузия коэффициенти фақат ҳароратга боғлиқ бўлгани учун [88; 1066-1070 бб.] ва асосий ташувчиларнинг ҳаракатчанлиги ҳамда "а" қийматидан (2.1.6) ифода бўйича асосий ташувчиларнинг ҳаракатчанлиги ва чуқур киришмалар консентрациясининг маҳсулини μ_n·N_t. топишимиз мумкин.
"а" нинг қиймати (2.1.6) формуладан хона ҳароратида N_t=5,3·10¹² см^-3 бўлган субчизиқли соҳа (2.1.8) кўриниши учун маъсул бўлган чуқур киришмлар консентрациясини аниқлашга имкон беради.

2.2-жадвал.

(a) катталик ва асосий µ_p ҳамда ноасосий µ_n заряд ташувчилар қийматининг ҳароратга боғлиқлиги. [94; 43-45 бб.]

t, ^ОС	25	50	75	100	125	150
а, (см/А)	6.5·10^4	6,1·10^4	5,78·10^4	5,55·10^4	5,45·10^4	5,26·10^4