В современных системах автоматизированного проектирования ши

111
Рис. 4.6.
Устройство наноперемещений 
щими пластинами, до возникновения туннельного тока, таким образом что 
острие зонда расположено ниже электропроводящих пластин 7 на (0,5÷1,0) 
мкм. Пластины 7 установлены между обкладками 8 двух конденсаторов 9, 
10, расположенными взаимноперпендикулярно, с возможностью независи-
мой подачи электрического напряжения на их обкладки. При подаче разно-
сти потенциалов между зондом и подложкой, атомы рабочего вещества 
проникают в глубь подложки, а зонд имеющий нитевидную форму, диа-

---

112
метром (0,5÷1,0) мкм, позволяет существенно повысить быстродействие за 
счёт своих малых габаритов. 
Применение предложенного устройства наноперемещений позволяет 
повысить быстродействие за счёт нитевидного зонда и линий напряженно-
сти между обкладками конденсатора, выполняющих роль направляющих, 
при изготовлении наносхем [98].
4.5. Устройство флэш-памяти
В основу разработки положена задача снижения габаритных разме-
ров и увеличения объёма памяти при реализации матрицы с элементами 
логической памяти выполненными на наноразмерном уровне. 
Введение в устройство флэш-памяти матрицы с закрепленным на 
ней элементами логической памяти типа 0-1, и элементов логической па-
мяти выполненных в одиночных многоходовых МОП транзистороах, с по-
левым нанотранзистором с электрически изолированной областью, позво-
ляет снизить габаритные размеры и увеличить размер памяти при реализа-
ции матрицы с элементами логической памяти на наноразмерном уровне. 
Устройство флэш-памяти, показанное на рис. 4.7, содержит матрицу 
1 с закреплёнными на ней элементами логической памяти 2 типа 0-1. Уст-
ройство так же содержит преобразователь магнитных сигналов 3, тактовый 
генератор 4 связанный с элементами логической памяти 2 и преобразова-
телем электромагнитных сигналов 3. Элементы логической памяти 2 вы-
полнены в виде одиночных многоходовых МОП транзисторов 5, с поле-
вым нанотранзистором с электрически изолированной областью 6. Преоб-
разователь магнитных сигналов 3 выполнен в виде приемника-передатчика 
8, 7электронов – диэлектрики между плавающим затвором и подложкой 
(термический оксид кремния), и туннельными и управляющими диэлек-
триками между плавающим затвором и контрольным входом 9. 

---