В современных системах автоматизированного проектирования ши

56
Рис. 2.15.
Спектры фотолюминесценции образцов, полученных в 
режимах 1 (
a
), 2 (
b
) и 3 (
c
)
одним промежуточным отжигом приводила к некоторому снижению ин-
тенсивности свечения, причём заметного смещения максимума не проис-
ходило. Набор дозы10
17
см
–2
в три приёма ведет к дальнейшему пониже-
нию интенсивности ФЛ, и здесь уже становится заметным коротковолно-
вое смещение максимума полосы к ~ 785 нм. Таким образом, использова-
ние двух промежуточных отжигов снижало интенсивность ФЛ всего в 2 с 
небольшим раза, в то время как возможности обнаружения признаков на-

---

57
нокристаллов по рамановскому рассеянию или с помощью высокоразре-
шающей электронной микроскопии практически исчерпывались. 
Данный механизм создания области затвор-диэлектрик, состоящий 
из управляющего оксида (верхний слой), слоя оксида с захороненными 
нанокристаллами германия (средний слой) и туннельного оксида (нижний 
слой) позволяет очень точно контролировать толщину оксидов окружаю-
щих захороненный слой нанокристаллов. В первую очередь на поверхно-
сти кремниевой подложки создается тонкий эпитаксиальный слой Si
1–
x
Ge
x
с последующим высокотемпературным влажным окислением, которое за-
ставляет имплантированный Ge скапливаться на границе раздела Si/SiO
2
(вследствие отделения растущего оксида в данных условиях окисления). 
После удаления слоя высокотемпературного оксида верхний слой оксида 
выращивается при 800
º
С в атмосфере сухого О
2
. В таких условиях Ge не 
взаимодействует с растущим оксидом. Затем слой Si
1–
x
Ge
x
О
2
выращивается 
при 800
º
С во влажной среде таким образом, что Ge проникает в область 
затвор-диэлектрик. На заключительном этапе выращивается туннельный 
оксид при 800