В современных системах автоматизированного проектирования ши

60
Рис. 2.18.
Схематическое описание операций стирания/записи для 
ячейки элемента нейронной сети
 
оптимальной толщины управляющего оксида в 5÷15 нм. В случае тонкого 
туннельного оксида толщиной менее 3 нм передача заряда осуществляется 
через прямое туннелирование (потока электронов через весь оксид) вместо 
туннелирования по механизму Фаулера-Нордгейма. Генерация носителей с 

---

61
Рис. 2.19.
Диаграммы потенциала зоны проводимости для элемен-
тов нейронной сети на основе кремниевых
нанокристаллов во время:
(а) записи (инжекции электронов в нанокристалл);
(б) стирания (экстракция электронов из нанокристалла);
(в) хранение электронов на квантовыхуровнях энергии
нанокристалла;
(г) хранение электронов на низких энергетических
уровнях в нанокристалле и/или на границе раздела
SiO/нанокристалл
 
низкими энергиями (с энергиями много меньше чем 3 эВ, что является по-
рогом для некоторых главных механизмов деградации оксидов от горячих 
носителей заряда) во время операции программирования, понижает дегра-
дацию оксида во время Ф-Н-инжекции, в результате улучшая износо-
устойчивость и характеристику заряд/пробой [49], что может быть реали-
зовано, например, с помощью баллистического транзистора (рис. 2.20). 

---

62
Р
и
с
. 
2
.2
0
.
Н
а
но
я
ч
е
й
ки
п
а
м
я
т
и
с 
а
р
хи
те
кт
у
р
о
й
н
е
й
р
о
нны
х 
се
те
й
р
е
а
л
и
зо
в
а
нно
й
с 
п
о
м
о
щ
ь
ю
б
а
л
л
и
ст
и
ч
е
ск
о
го
т
р
а
нз
и
с
то
р
а

---

63
Одно из главных преимуществ ячеек нейронной сети на нанокри-
сталлах, по сравнению с обычными устройствами на основе плавающих 
затворов, состоит в использовании взаимно изолированных узлов хранения 
заряда, вместо непрерывного поликремниевого слоя. Такой неоднородный 
плавающий затвор уменьшает потерю зарядов через дефекты в окисле, где 
происходит туннелирование, позволяя все более уменьшать толщину тун-
нельного окисла.

---