В 1946 г. Старкевич, Сосновский и Симпсон [13] наблюдали фотонапряжения

Рис. 1.2. Типичные спектры
фотонапряжения АФН-пленок

V, отн. ед.

, нм
еоретическое рассмотре­ние ВАХ ба­тареи, состоящей из боль­шо­го числа p-n-пере­хо­дов, впер­вые про­ведено В. И. Стафеевым [20].
Исследования на основе спектральных зависимостей показали, что фото­на­пряжения вызываются светом из области собственного поглощения (рис. 1.2).
В работе [21] показано, что темновые ВАХ для пленок линейны до значения E = 510³ В/см, сверхлинейны в интервале 510³...510⁴ В/см. Ни на одной пленке сублинейный участок не был обнаружен вплоть до пробойных значений E  10⁵ В/см. При освещении образцов их ВАХ спрямляются и, начиная с некоторых значений интенсивности света, становятся линейными.
Принимая во внимание тот факт, что АФН-пленки получены анизотропным напылением, естественно было ожидать появления этой анизотропии при освещении пленок поляризованным светом [3].
П

Рис. 1.3. Зависимость фотонапряжения
от угла между плоскостью электрического вектора возбуждающего света и прямой, соединяющей электроды пленки

редставлялось возможным вы­яснение влияния поляризованного света на величину фотонапря­жения V_АФН. Эксперименты в по­ля­ри­зо­ванном свете показали, что у АФН-пленок кремния и арсенида галлия фото­напряжение сильно за­висит от ори­ентации пло­скости по­ляризации све­та относительно пря­мой, соеди­ня­ю­щей электроды пленки.
Типичные полярные диаграммы зависимости V_АФН от угла освещения  даны на рис. 1.3. Для пленок Si и GaAs максимум V_АФН расположен либо при  = 0°, либо при  = 90. Например, для Si-пленки приведенной на рис. 1.3 и GaAs-пленки максимум соответствует  = 90.
Для Si и GaAs изменение величины V_АФН от _max до _min составляет, соответственно, 50% и 30%. Разница между максимальным и минимальным значениями фотонапряжения падает с уменьшением толщины пленок. Эти данные указали на то, что анизотропия пленок накапливается с ростом толщины. С этим, по-видимому, в какой-то мере связано отсутствие влияния угла на величину V_АФН в АФН-пленках Ge и халькогенидных соединений.
Влияние ориентации плоскости поляризации света на величину V_АФН пле­нок CdTe и Se велико, оно составляет 5…10% для CdTe и 10…20% для Se [3].
Д ля получения информации о величине фотонапряжения V_АФН, тока короткого замыкания J_КЗ и сопротивления R пленок во всем интервале промежуточных температур в работах [18, 22] проведены температурные исследования. В этих работах отмечается, что с понижением температуры фотонапряжение и сопротивление возрастают.
На рис. 1.4. приведены экспери­мен­­тальные результаты [21] для пле­нок CdTe [3], а также температурные зависимости параметров АФН-пленок из работ [22]. Как видно из рис. 1.4, ток короткого замыкания в пленках CdTe практически не зависит от темпера­ту­ры. Температурный ход генерируемого фотонапряжения идентичен темпера­турной зависимости сопротивления плен­ки. В работе [38] приведен метод изготовления АФН-пленки CdTe путем термического испарения.
Испарение порошкообразного материала (в некоторых случаях исполь­зо­вался кристаллический CdTe) теллурида кадмия производились из тигля, покрытого окисью алюминия при температуре 750°С. Давление остаточных газов в процессе напыления пленок CdTe было 10^-4...10^-5 мм рт. ст., угол напыления находился в пределах 45°. Подложками служили стекло, сегнетоэлектрик НБС, слюда, кварц, LiF, NaCl и т. д. Толщина слоя находилась в пределах 1 мкм. Некоторые параметры АФН пленок теллурида кадмия
приведены в табл. 1.1. Нужно отметить, что авторам работ [27] удалось получить фотонапряжения в пленках теллурида кадмия при комнатной температуре.
Таблица 1.1

		Т, °С	20			50		100		150		200		225		250		300		350		400