Узбекистан высшее и среднее специальное образование министерство имени ислама каримова

изменяя входное напряжение от 0 до 9В,



ОНАCHIQ= f (UКИР) и яIST= f (UКИР) измерить зависимость;

• 
  сопротивления р= Для значений 10 кОм и 3,5 кОм
  

повторить измерения;


- используя экспериментальные результаты ОНАCHIQ= f (UКИР) зависимость


строить графики.
Обработка результатов, полученных в эксперименте.


Постройте характеристики передачи, полученные выше.


Логический сигнал для каждой клавишиОНА0 и ОНА1уровни и логичный уровни сигналов LU = U1 - ОНА0Идентифицировать


Запишите результаты в Таблицу 8.1.

	11.1 - стол
Параметр	ОНА0, V ОНА1, V LU, VпОРТ, мВ

Тип загрузки


Устойчивая загрузка


Рю = 51кОм


Рю = 10кОм


Рю = 3,5 кОм


Определите среднее значение мощности, потребляемой источником в случае логического нуля и логики:

пИЛИ'Т	- -п0 -			п1-; п0,1 - я IST	0,1	E	M	.
	1
		2

Содержание отчета:

1. 
   схемы измерений;
   

2. 
   таблицы и графики полученных зависимостей;
   

3. 
   анализ результатов измерений и расчетов.
   

Контрольные вопросы

1. 
   Параметры переключателя, подключенного резистором, как нагрузка
   

Объясните, что это зависит от значения сопротивления нагрузки.

2. 
   Почему переключатель сделан на транзисторах МДЯ в статических корпусах
   

не потребляет энергию от источника?

71

ПРИЛОЖЕНИЕ


информация об исследуемых электронных устройствах

					Биполярные транзисторы
Пер.	Структура				час21E					жh21E				як.чег,						ОНАkc			ркчег,					-k,					Ck
тип										(жТ),						мА					heg		мВт					мк					(10 В)
										МГц											V ^,							s				, ПФ
MP37B	нпн, Ge,				20-					1.0						20				15			150										40
	сплав				50
MP39B	pnp, Ge,				20-					0,5						20				20			150										40
	сплав				50					1.5
КТ315Б	нпн				50-					(250)						100				20			150					0,5							7
	Si, планарный -				350
	эпитаксиальный
КТ361Б	pnp,				50-					(250)						50				20			150					0,5							9
	Si, планарный -				350
	эпитаксиальный