Узбекистан академия наук республики узбекистан

Рис. 3. УФЭС Si с нанопленкой NiSi
2
 толщиной, Å: 0 (
1
), 50 (
2
), 200 (
3
). 
Пленки NiSi
2
с 
h
= 50 Å имеют островковый характер, поэтому в его спектре 
обнаруживаются пики, характерные как для Si, так и NiSi
2
. 
Таким образом, на основе анализа экспериментальных результатов можно 
заключить, что в процессе твердофазного осаждения Ni в Si в сочетании с отжигом на 
поверхности Si формируются эпитаксиальные нанопленки NiSi
2
. При толщинах 
h
≤ 150 Å 
пленки имеют островковый характер. Из-за близости параметров решетки NiSi
2
и Si на 
границе NiSi
2
/Si не возникает заметного напряжения и, следовательно, формируется 
сравнительно узкий переходной слой (50–60 Å). Ширина запрещенной зоны 
нанокристалических фаз с ростом их размеров от (1

1.2)

10

18
см

3
до (3

3.5)

10

18
см

3
изменялась система типа Si/NiSi
2
/Si. Показано, что 
E
g
нанослоев NiSi
2
равна ~0.58 eV. 
Список литературы. 
1. M.V. Gomoyunova, I.I. Pronin, N.R. Gall’, S.L. Molotcov, D.V. Vyalykh. // Fizika 
tverdogo tela (FTT) 45. No.8, 1519 (2003). 
2. A.A.Altuxov., V.V. Jirnov., A.A. Altuxov., V.V.Jirnov. // Materialы II-go 
Vsesoyuznogo mejotraslevogo soveщaniya “Tonkie plenki v elektronike”: Moskva-Ijevsk. c. 15-
22 (1991). 
3. Colinge J.P. // Material Research Society Proceedings. V. 35. P. 653. 
http://dx.doi.org/doi 10.1557/ PROC-35-653
 (1985). 
4. Ergashov Y.S., Tashmuxamedova D.А., Umirzakov B.E. //Poverxnostь. Rentgenovskie, 
sinxrotronnыe i neytronnыe issledovaniya, № 4, s. 104–108 (2014).
5. Suryana R., Nakatsuka O., Zaima S.//Jpn. J. Appl. Phys. 50. 05 EA 09-1 (2011).
6. Tomilin S.V., Yattovskiy А.S., Tomilina O.А., Mi-kaelyan G.R. //FTP. t. 47. № 6. s. 
772 (2013). 
7. Donaev S.B., Umirzakov B.E., Tashmuxamedova D.А. Nanorazmernыe strukture v 
ionno implantirovannыx Si i GaAs // LAP(rasshifrovat) . Germaniya. 202 s (2016). 
8. Boltaev X.X., Tashmuxamedova D.А., Umirzakov B.E. //Poverxnostь. Rentgenovskie, 
sinxrotronnыe i neytronnыe issledovaniya. 2014. № 4. s. 24. 
9. Samsonov G.V., Dvorina L.А., Rudь B.M. Silitsidы. – M.: Metallurgiya, 1979. –
272s.Ergashov Y.S., Umirzakov B. Ye. //JTF. Т.83.№2 С.1859-1862 (2018). 
10. Tashatov A.K., Mustafoeva N.M.. // Journal of Surface Investigation: X-ray, 
Synchrotron and Neutron Techniques, Vol.14, No 1, pp. 81-84 (2020).
11. Tashatov А.K., Umirzakov B.E., Mustafoeva N.M.. // “MIFI” VI mejdunarodnaya 
konferentsiya “Lazernыe,plazmennыe issledovaniya i texnologii LaPLАZ-2020 ” Moskva. c. 92-
93 (2020). 

---

404