Узбекистан академия наук республики узбекистан

 
Рис. 2. Исходный материал, для солнечного элемента (а) и его общий вид (б). 
 
Термическая обработка пластин производилась на установке RTP-300 (RTP-300 
Rapid Thermal processor) в ускоренном темпе. 
 

---

235 
На ряду с вышеизложенными производится искусственное окисление кремния. В 
качестве окисляющего агента использовался кислород, и иногда пары воды при давлении 
равном атмосферному. Рабочая температура в наших технологиях не достигала до 800
0
С. В 
процессе термообработки твердые планарные источники фосфора при нагревании 
выделяют пяти окись фосфора (P
2
O
5
) в газовую фазу, молекулы которой диффундируют к 
поверхности кремниевых пластин и в результате реакции 
2P
2
O
5
 + 5Si → 5SiO
2
 + 4P 
В результате этого образуют слой фосфор силикатного стекла (ФСС), из которого 
происходит диффузия фосфора в объем кремния. После окончания процесса диффузии в 
кремний, на поверхности образца наносится густые растворы серебра, затем образец 
подвергается к сушке в печи (рис.3).
Результат технологии. 
На рисунке 3 приведена основные характеристики 
полученного гетероперехода. Как видно, наиболее весомым является получение 
относительно хорошую высокую эффективность. Немаловажным является применение для 
изготовления образцов низкой рабочей температуры. Это образцы обладают высокой 
стабильностью воздействиям окружающую среду.
Изучение физику процесса генерации и рекомбинации по энергетической диаграмме 
показали [9], что энергетическая уровень Ферми в этих образцах расположена вблизи 
валентной зоны р- и р
+
-слоев и ближе ко дну зоны проводимости n
+
-слоя. Световой поток, 
поступивший через широко зонное окно поглощается р-слоем и создаёт электронно-
дырочные пары в объеме р-слоя (с-Si). Основные носители заряда, генерированные 
световым возбуждением начинает диффундироваться в сторону тянущего электрического 
поля р-n
+
-перехода. В процессе испытания в объеме р-слоя наблюдалось относительно 
малый рекомбинационный процесс.