Узбекистан академия наук республики узбекистан


Рис. 1.Общий вид вакуумно-магнетронной установки с открытой крышкой



Download 15,51 Mb.
Pdf ko'rish
bet193/391
Sana25.02.2022
Hajmi15,51 Mb.
#302962
TuriСборник
1   ...   189   190   191   192   193   194   195   196   ...   391
Bog'liq
Сборник трудов МК-2021-Карши

 
Рис. 1.Общий вид вакуумно-магнетронной установки с открытой крышкой. 
 
Метод и технология. 
Существует данные об изучении толщины, шероховатости и 
рельеф пленок [5-6] которые в значительной степени позволяет определять механизм 
проводимости, и как следствие этого, удельного сопротивления.
Ещё одним преимуществом использования магнетронной установки для настоящей 
цели, является прежде всего, его высокая скорость распыления материала мишени [7], 
управляемость процесса и хорошая адгезия пленки к поверхности подложки. 
Вакуумно-магнетронная установка, предназначенная для синтеза аморфных пленок, 
работает на постоянном токе. В целом принцип работы устройства очень похожа на 
принцип работы существующих производственных плазматронов [8].
В данном случае распыление материала происходит за счет бомбардировки 
поверхности мишени ионами рабочего газа (аргона), образующимися в плазме тлеющего 
разряда [9-10]. 
Для осуществления технологической части, предварительно выбирались 
необходимые электрические параметры установки. Это ток разряда, время напыления, 
диапазон напряжений, а также соответствующие геометрические размеры требуемой 
технологии: расстояние между мишенью и подложкой. Последняя была равна 30 мм. 
Значение тока 110мА, время напыления 20 мин. Напряжение поддерживалась в пределах 
300-500В. Для получения пленок использовалась несбалансированная магнетронная 
распылительная система аксиального типа [11] с квазизамкнутым объемом. Рабочим газом 
являлся аргон. Такой выбор рабочего газа объясняется дешевизной материала, большой 
атомной массой. Исходный материал (рис.2), упакованный в герметизированную фольгу, 
после снятия последнего подвергался промывке в спиртном растворе этанола СН
3
СН
2
ОН. 
Затем полупроводник из кремния подвергался резке. Операция резки пластины кремния, 
осуществлялся стеклорезом, не допуская образования дефектов по всей площади образца. 
Подготовленный образец имел следующие геометрические размеры: d= 9,7±0,3см и 
толщиной 420±10μм. После подготовительной работы образца к напылению, был 
осуществлен процесс напыления в вакуумно-магнетронной установке. При завершении 
процесса напыления оставляется на остывание образца до температуры ~25
0
С.

Download 15,51 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   189   190   191   192   193   194   195   196   ...   391




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish