Узбекистан академия наук республики узбекистан

Рис. 3. Основные характеристики гетеропереходного солнечного элемента. 
Небольшая разница в переходе зоны проводимости ΔЕ
с
не препятствуют к переходу 
носителей из одного слоя к другому. 
Причиной высокой производительности является то, что не только через переход, но 
и через контакт поддерживается хороший обмен носителями заряда. Свет, определенной 
длины волны, если даже поглощается на поверхностном р
+
-слое и создает электронно-
дырочные пары, и эти генерированные пары за счет диффузии смогут пробежать до р-i-n-
перехода. Предположительно это тоже дает вклад в общий ток. Разрывы в зонах 

---

236 
проводимости ΔЕ
v
и в валентной зоне ΔE
c
особого препятствия не показывают. Таким 
образом, эти элементы имеют хорошие преимущества в эффективном преобразовании 
энергии солнечного света в электрическую. 
Заключение. 
В заключении следует отметить, что продолжение исследований в 
области изготовления гетеропереходных солнечных элементов по методу внедрения в 
технологию вакуумно-магнетронной установки, позволяет получить хороших солнечных 
преобразователей. Они имеют возможности широкого внедрения. Имеет относительно 
низкую себестоимость. Обладают наименьшими энергетическими потерьями в рабочем 
режиме. 
Список литературы. 
1. NREL, N. (2019). Best Research-Cell Efficiency Chart. https://www.nrel.gov/pv/cell-
efficiency.html.  
2. Carlson, D. E., & Wronski, C. R. (1976). Amorphous silicon solar cell. Applied Physics 
Letters. https://doi.org/10.1063/1.88617.  
3. Kanevce, A., & Metzger, W. K. (2009). The role of amorphous silicon and tunneling in 
heterojunction with intrinsic thin layer (HIT) solar cells. Journal of Applied Physics. 
https://doi.org/10.1063/1.3106642.  
4. Shah, A. V., Schade, H., Vanecek, M., Meier, J., Vallat-Sauvain, E., Wyrsch, N., … 
Bailat, J. (2004). Thin-film silicon solar cell technology. Progress in Photovoltaics: Research and 
Applications. https://doi.org/10.1002/pip.533.  
5. Namba, Y. (1970). Resistivity and Temperature Coefficient of Thin Metal Films with 
Rough Surface. Japanese Journal of Applied Physics. https://doi.org/10.1143/JJAP.9.1326.  
6. Munoz, R. C., Finger, R., Arenas, C., Kremer, G., & Moraga, L. (2002). Surface-induced 
resistivity of thin metallic films bounded by a rough fractal surface. Physical Review B, 66(20), 
205401. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.66.205401.  
7. Gudmundsson, J. T., Brenning, N., Lundin, D., & Helmersson, U. (2012). High power 
impulse magnetron sputtering discharge. Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, 
Surfaces, and Films. https://doi.org/10.1116/1.3691832.  
8. Д. Митин, А.Сердобинский. Особенности роста тонких пленок аморфного 
кремния, полученных методом магнетронного распыления. See discussions, stats, and author 
profiles for this publication at: https://www.researchgate.net/publication/281180608. 2015.  
9. Sh. Olimov, Chen Nou-fu, А.М.Кasimakhunova, Sued Jamal Ali Shah, Khurram Yosaf, 
Numan Aabbas, Tao Quan – li, Yang Xiu-Yu. Heterojunction silicon photoconverters obtained by 
the evaporation method in a vacuum. 2019 2nd International Conference on Computing, 
Mathematics &Engineering Technologic. SustainableTechnologies for Soco-economic 
Developmtnt. iCOMET 2019, Januaru 30-31, 2019., 1-5 Pakistan.
10. A.M.Kasimakhunova, Sh. Olimov, L.K.Mamadalieva, R.Nurdinova, M.Norbutaev. 
Development and research of heterostructures with an internal thin layer based on p-type silicon. 
Europan science rewiev. №9-10 2018. September-October, Volume 1. 183-185(Австрия).
11. 
杨秀钰
，
陈诺夫
，陶泉
丽
，徐甲然，
张
航，
陈
梦，白一
鸣
，
陈吉堃
. 
本征薄
层
异质结
( HIT) 
太阳能
电池的研究现状及展望
. 
人
工
晶
体
学
报
. Vol. 47 
No 9. 2018 
年
9 
月
Jounal of synthetic c
ｒ
ystals.