Узбекистан академия наук республики узбекистан

СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ИЗ А-SI НА ОСНОВЕ C-SI ПОЛУЧЕННЫЕ 
МЕТОДОМ НАПЫЛЕНИЯ В ВАКУУМНО-МАГНЕТРОННОЙ УСТАНОВКЕ 
1
Утамурадова Ш., 
2
Олимов Ш.А. 
1
Научно-исследовательский институт физики полупроводников и микроэлектроники при 
Национальном университете Узбекистана. 
2
докторант Северно-Китайского университета энергетики
В работе приведена методика и технология изготовления гетероструктурных 
тонкопленочных солнечных элементов из аморфного и кристаллического кремния. 
Показаны преимущества применения магнетронной установки. Приведены результаты 
исследования подготовленных элементов и их анализ. 
 
Введение. 
Как известно, существуют много различных методов по изготовлению 
полупроводниковых солнечных элементов применением устройств с разными принципами 
технологии изготовления. Разрабатываются и исследуются различные гетероструктурные 
фотоэлектрические преобразователи на основе полупроводников. Одним из серьёзных 
достижений в этом плане являются HIT-элементы (heterojunction with intrinsic thin-layer 
solar cells), изготовленных на основе монокристаллического кремния, с значительно 
превышающим к.п.д. 20%. Так, в [1] сообщается о создании HIT-элементов с к.п.д., равным 
27.6% в условиях АМ1.5. По результатам оценочных работ известно, что это не предельное 
значения к.п.д.
В настоящем докладе рассматриваются результаты разработанного метода создания 
солнечных элементов на основе аморфного и кристаллического кремния с применением 
вакуумно-магнетронной установки. Общий вид этой установки с раскрытой крышкой 
показан на рис. 1. 
Исходя из выше изложенного, в настоящей исследовательской работе поставлена 
цель, в которой планировалась метод получения гетеропереходов из кремния с наилучшими 
выходными параметрами и изучение механизма образования электрического тока в таких 
структурах. Причиной этого являются следующие. Во- первых, из-за широкого 
распространения кремния в природе, аморфный кремний (a-Si) широко применяется в 
устройствах электроники и оптоэлектроники [2-4]. Во-вторых, каждая исследовательская 
работа опирается на возможности управления свойствами получаемых образцов, в 
частности в нашем случае, тонких пленок a-Si в процессе их получения. Третья причина-
это отсутствие научных материалов по проведении аналогичных исследований настоящим 
методом в нужном количестве, применением которого можно было-бы считать 
законченным в этом направлении. Выбрать направления исследования в области создания 
тонкопленочных гетероструктурных солнечных элементов методом магнетронного 
распыления является актуальной задачей. Причем, внедрением этого метода появляется 
возможность изучения механизма образования слоев перехода, влияние условия рабочей 
среды, в том числе давления в вакууме, влияние на значения рабочего оптимального тока и 
других модификаций пленок аморфного кремния.

---

234