Узбекистан академия наук республики узбекистан

Электрофизические параметры образцов Si , Si , Si . 
Образцы 
Тип проводимости 
𝜌,
Ом·см 
µ, В·с/см
2
n, см
-3
Si 
n 
(1.2÷1.5)·10
3
1100 
4.5·10
12
Si 
p 
5.9 
221 
4.8·10
15
Si 
p 
5÷7 
260÷270 
(3.5÷3.8)·10
15
∆x, %
- 
0,5 % 
24,5 % 
0,11%
Наличие чёткой корреляции между температурой наиболее эффективного 
комплексообразования с энергией Гиббса соответствующих соединений явно 
свидетельствует в пользу химической природы комплексов O, S, Se, Te с марганцами. 
Иными словами, в процессе взаимодействия элементов VI группы с примесью марганца в 
кремнии имеет место образование электронейтральных химически связанных комплексов 
между центром замещения элементов VI группы с центрами внедрения марганца. 
Показано, что после легирования марганца изменяется электрические параметры т.е. 
удельного сопротивление, подвижность и концентрация носители заряда. Изменение 
концентрации носителей заряда после легирования марганца объяснено взаимодействием 
марганца с элементов VI группы в решетке кремния. 
Показано что наблюдаемая нейтрализация примесей в процессе взаимодействия 
связана с образованием электронейтральных, химически связанных комплексов между 
центрами замещения элементов VI группы и марганцем. 
В полупроводниковом материаловедении – разработка и создание новых классов 
полупроводниковых материалов на основе кремния с управляемыми фундаментальными 
параметрами. 
Список литературы. 
1. Bakhadyrkhanov M.K., Askarov Sh.I, and Norkulov N. Some Features of Chemical 
Interaction between a Fast Diffusing Impurity and a Group VI Element in Silicon. // Physics state 
solid. 1994. No. 142. pp 339-346. 
2. Glushko V.P. Thermodynamic Constant for Materials // 1974. Issue. 7 Pt 1, Nauka, 
Moscow (in Russian).
3. Bakhadyrkhanov M.K., Iliev Kh.M, Тursunov M.O., Isamov S.B., Koveshnikov S.V., 
Madjitov M. Kh. Electrical Properties of Silicon Doped with Manganese via High-Temperature 
Diffusion // Inorganic Materials. 2021. Vol. 57, No. 7, pp. 655-662. 

---

211 
4. Bakhadyrkhanov M.K., Isamov S.B., Zikrillaev N.F., Тursunov M.O.
 
Anomalous 
Photoelectric Phenomena in Silicon with Nanoclusters of Manganese Atoms // Semiconductors, 
2021, Vol. 55, No. 6, pp. 636–639. 
5. Iliev Kh.M, Тursunov M.O., Koveshnikov S.V., Khudaynazarov Z.B. Research of 
properties of silicon with binary nanoclusters with participation of Mn and Se atoms // 
Semiconductor Physics and Microelectronics. 2020, Vol. 2, Issue 2. pp. 59–62.