Уилсон ток кузгулари схемаси. Режа: Режа

β= β1 ∙β2 = 10000 бўлади.

Лекин, бир хил VT1 ва VT2 ларда β1 ва β2 коэффициентлар IК1 ва IК2 коллектор токлари бир хил бўлгандагина бир – бирига тенг бўлади.

IЭ1>>IБ1=IЭ2 бўлгани учун IК2 >> IК1.

Шунинг учун β1<< β2 ва β= β1 ∙β2 амалда бир неча мингдан ошмайди. Таркибий транзисторлар турли ўтказувчанликка эга бўлган транзисторлар асосида ҳам ҳосил қилиниши мумкин. Бундай тузилмалар қўшимча симметрияга эга бўлган таркибий транзисторлар деб аталади. Комплементар БТлар асосидаги Шиклаи таркибий транзистори тузилиши кейинги расмда келтирилган.

Шиклаи таркибий транзистори

Бунда кириш транзистори сифатида p-n-p ўтказувчанликка эга транзистор, чиқиш транзистори сифатида эса n-p-n ўтказувчанликка эга транзистор ишлатилади. Натижавий токлар йўналишлари, расмдан кўринишича, p-n-p транзисторнинг токлари йўналишига мос келади. Ток узатиш коэффициенти β= β1+ β1*β2 га тенг бўлади ва амалда Дарлингтон транзисторининг β сига тенг бўлади. Таркибий транзистор майдоний ва биполяр транзисторлар асосида ҳосил қилиниши ҳам мумкин. Кейинги расмда n – канали p-n ўтиш билан бошқарилувчи МТ ва n-p-n тузилмали БТ асосида ҳосил қилинган таркибий транзистор схемаси келтирилган. Ушбу схема майдоний ва биполяр транзисторларнинг хусусиятларини ўзида мужассамлаштирган – бу жуда катта кириш қаршилигига ва ток бўйича, демак қувват бўйича ҳам, жуда катта кучайтириш коэффициентига эгалигидан иборат.

Бунда кириш транзистори сифатида p-n-p ўтказувчанликка эга транзистор, чиқиш транзистори сифатида эса n-p-n ўтказувчанликка эга транзистор ишлатилади. Натижавий токлар йўналишлари, расмдан кўринишича, p-n-p транзисторнинг токлари йўналишига мос келади. Ток узатиш коэффициенти β= β1+ β1*β2 га тенг бўлади ва амалда Дарлингтон транзисторининг β сига тенг бўлади. Таркибий транзистор майдоний ва биполяр транзисторлар асосида ҳосил қилиниши ҳам мумкин. Кейинги расмда n – канали p-n ўтиш билан бошқарилувчи МТ ва n-p-n тузилмали БТ асосида ҳосил қилинган таркибий транзистор схемаси келтирилган. Ушбу схема майдоний ва биполяр транзисторларнинг хусусиятларини ўзида мужассамлаштирган – бу жуда катта кириш қаршилигига ва ток бўйича, демак қувват бўйича ҳам, жуда катта кучайтириш коэффициентига эгалигидан иборат.