Учебное пособие по курсам «Фотоэлектрические явления в полупроводниках» и«Фотоэлек­трические явления в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах»



Download 0,72 Mb.
bet10/21
Sana24.02.2022
Hajmi0,72 Mb.
#183903
TuriУчебное пособие
1   ...   6   7   8   9   10   11   12   13   ...   21
Bog'liq
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

In

t
Инфракрасное гашение (тушение) проявляется в уменьшении фотопрово­димости, созданной небольшой постоянной подсветкой при облучении светом с длиной волны, значительно большей, чем та, которая соответствует краю ос­новного поглощения. Для кристалла CdS, например, край основного поглоще­ния лежит при А=520 нм, а гашение может иметь место при /.= 1400 нм. Суще­ственно, что в этом явлении происходит уменьшение неравновесной, а не тем- новой проводимости. На рис. 3.6 показана спектральная характеристика фото­тока при наличии оптического гашения. Пики 1 и 2 соответствуют собственной и примесной фотопроводимости соответственно, а минимум 3 оптическому га­шению фототока 1п, созданного постоянной подсветкой. В длинноволновой об­ласти спектра имеет место конкуренция процессов возбуждения и гашения фо­топроводимости .
Термическое гашение проявляется в уменьшении фотопроводимости с рос­том температуры.
Тесно связан с первыми двумя явлениями сверхлинейный рост фототока с освещенностью (сверхлинейность люкс-амперных характеристик). Люкс- амперная (световая) характеристика (ЛАХ) фото-проводника обычно имеет вид (см., например, (3.11) ):


(сверхлинейность). Объяснение перечисленных трех явлений может быть дано в рамках модели с двумя классами центров рекомбинации [10].
Класс рекомбинационных центров характеризуется сечениями захвата электронов и дырок.




  1. Очувствление фотопроводников при освещении

На примере сульфида кадмия, который во многих случаях выступает как модельное вещество для фотоэлектрических исследований [19], было показано, что времена жизни для электронов и дырок равны I0 -6 + 10-8 с. Такие фотопро­водники считается нечувствительными. Однако их фоточувствительность мо­жет быть увеличена при введении локальных уровней вакансий кадмия. В этом

  1. 3

случае времена жизни электронов увеличиваются до 10- - 10- с, а время жиз-
о
ни дырок становится меньше I0- с. Итак, монокристалл становится более фото- чувствительным при введении центров рекомбинации. Это введение дополни­тельных уровней рекомбинации увеличивает время жизни носителей заряда од­ного знака и уменьшает время жизни носителей другого знака. Увеличение времени жизни при увеличении концентрации уровней рекомбинации I проти­воречит, казалось бы, естественному предположению о том, что чем больше концентрация уровней рекомбинации, тем меньше время жизни. Такое предпо­ложение правильно для полупроводников в которых времена жизни электронов и дырок одинаковы. В этом случае уменьшение концентрации уровней реком­бинации является единственным способом увеличения времени жизни пары свободных носителей. Аналогично этому в фотопроводниках, в которых време­на жизни электронов и дырок неодинаковы, увеличение концентрации уровней рекомбинации того же типа, который уже присутствовал в фотопроводнике, может только уменьшить время жизни одного или обоих типов носителей заря­да. Остается ещё рассмотреть возможность увеличения времени жизни носите­лей одного знака, при введении уровней рекомбинации какого-то другого типа. В этом случае включается смысл модели для объяснения очувствления. Рас­смотрим простой количественный пример для иллюстрации такой модели. На рис. 3.7, а показана энергетическая схема фотопроводника с одним классом центров рекомбинации, сечения захвата которых для электронов и дырок оди-
15 2
наковы и примерно равны 10- см . Равенство сечений предполагается лишь для простоты анализа и не имеет принципиального значения.
Будем считать, что концентрация пустых и заполненных электронами
15 -3
уровней одинаковы и равны 10 см- . Заметим, что это предположение о равен­стве концентраций делается также лишь для простоты анализа. Тогда времена жизни электронов и дырок будут равны между собой:

Download 0,72 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   6   7   8   9   10   11   12   13   ...   21




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish