Учебное пособие по дисциплине "Электротехника и электроника". Часть 2- электроника. / авт сост. Д. В. Погодин, Казань; кгту им. Туполева, 2003 39с



Download 0,64 Mb.
bet1/15
Sana26.02.2020
Hajmi0,64 Mb.
#40828
TuriУчебное пособие
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   15
Bog'liq
хушрой

Министерство образования российской Федерации

КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ

УНИВЕРСИТЕТ им. А.Н.ТУПОЛЕВА

Кафедра теоретической радиотехники и электроники

Д.В. ПОГОДИН

Электротехника и электроника

Учебное пособие по дисциплине

Электротехника и электроника”.



Часть 2 - Электроника

Для студентов заочного и дневного отделения

Казань 2004
УДК 621.38/39(075) Составитель: Погодин Д.В.

Электротехника и электроника. Учебное пособие по дисциплине “Электротехника и электроника”. Часть 2- Электроника. / авт. - сост. Д.В. Погодин, - Казань; КГТУ им. Туполева, 2003 - 39с.


Учебное пособие написано в соответствие с типовой программой дисциплины “Электротехника и электроника”, которая принята для студентов обучающихся по направлению подготовки дипломированного специалиста 654600 - ИНФОРМАТИКА И ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА специальности: 2202, 2205, 0719.

Пособие предназначено для студентов, обучающихся на очном, очно-заочном (вечернем) и дистанционном (прилагается электронный диск) отделении.

Табл. 4. Ил.6. Библиогр: 2 назв.
Рецензенты: кафедра Электротехники и электропривода Казанского государственного технологического университета.

Зав. кафедрой д.т.н., профессор Миляшов Н.Ф.;

к.т.н., доцент Кропачев Г.Ф. (Казанский государственный технологический университет).

Оглавление

Раздел 1. Электронные приборы

ГЛАВА 1. Электрофизические свойства полупроводников. Р-n-переход.

ГЛАВА 2. Полупроводниковые диоды

ГЛАВА 3. Биполярные транзисторы

ГЛАВА 4. Полевые транзисторы

ГЛАВА 5. Тиристоры и силовые полупроводниковые приборы.

ГЛАВА 6. Оптоэлектронные приборы и электронно-лучевые трубки и электронно-вакуумные приборы (ЭВП).


Раздел 2. Электронные устройства и интегральные микросхемы (ИМС)

ГЛАВА 7. Общая характеристика электронных устройств и интегральных микросхем (ИМС).

ГЛАВА 8. Усилители электрических сигналов

ГЛАВА 9. Операционные усилители (ОУ) и аналоговые устройства на их основе.

ГЛАВА 10. Импульсные схемы на основе ОУ

ГЛАВА 11. Генераторы

ГЛАВА 12. Управляющие электронные схемы.

ГЛАВА 13. Цифро-аналоговые и аналогово-цифровые преобразователи.

ГЛАВА 14. Источники вторичного электропитания

Оглавление



Введение

ГЛАВА 1. Электрофизические свойства полупроводников. Р-n-переход.

ГЛАВА 2. Полупроводниковые диоды

ГЛАВА 3. Биполярные транзисторы

ГЛАВА 4. Полевые транзисторы.

ГЛАВА 5. Тиристоры

ГЛАВА 6. Оптоэлектронные приборы и электронно-лучевые трубки и

ГЛАВА 7. Общая характеристика электронных устройств и интегральных микросхем (ИМС).

ГЛАВА 8. Усилители электрических сигналов

ГЛАВА 9. Операционные усилители (ОУ) и аналоговые устройства на их основе.

ГЛАВА 10. Импульсные схемы на основе ОУ

ГЛАВА 11. Генераторы

ГЛАВА 12. Управляющие электронные схемы.

ГЛАВА 13. Цифро-аналоговые и аналогово-цифровые преобразователи.

ГЛАВА 14. Источники вторичного электропитания

Раздел 1. Полупроводниковые приборы

Глава 1

Физические основы полупроводниковых приборов


1.1. Электропроводимость полупроводников

Э
лектропроводность
– это свойство веществ проводить электрический ток. Электрический ток – есть направленное движение свободных носителей заряда. Электропроводность веществ количественно характеризуется удельным электрическим сопротивлением  (Ом.см), или определяется концентрацией n (см-3) свободных носителей заряда в веществе, т.е. числом электронов в единице обьема (эл/см3)

В зависимости от способности проводить электрический ток, все вещества делятся на три группы: проводники (металлы), полупроводники и диэлектрики.



Рис. 2.1

К полупроводникам принято относить материалы, у которых удельное электрическое сопротивление при комнатной температуре составляет 103 - 109 Ом.см. Важнейшим признаком полупроводников является сильная зависимость их электрического сопротивления от температуры, степени освещенности, уровня облучения ионизирующим излучением, количества примесей и т.д.

В настоящее время для изготовления полупроводниковых приборов в основном используются следующие полупроводники:


  • четырехвалентные - германий (Ge), кремний (Si) и арсенид галлия (AsGa);

  • трехвалентные - алюминий (Al), индий (Jn), бор (В);

  • пятивалентные – фосфор (P), сурьма (Sb), мышьяк (As).

Валентность вещества, определяет число электронов на внешней оболочке атома.

Все полупроводники можно разбить на две группы:



    1. чистые, собственные, беспримесные или полупроводники i-типа – это полупроводники, состоящие из атомов одного сорта;

    2. примесные или легированные – в них часть атомов собственного полупроводника заменяется на атомы другого сорта (полупроводника). Процесс введения примесей в полупроводник называется легированным. А, потому, примесные полупроводники называются легированными.

1.1.2. Собственные полупроводники

Атомы собственного полупроводника располагаются в пространстве в строго определённом порядке, образуя кристаллическую решётку. Она возникает за счёт обобществления валентных электронов соседними атомами (такая связь называется ковалентной). Плоская модель кристаллической решётки собственного четырехвалентного полупроводника приведена на рис.2.1.



В собственных полупроводниках при Т=00K свободных носителей заряда нет. Все электроны участвуют в образовании ковалентной связи, и полупроводник является диэлектриком. С повышением температуры электроны приобретают дополнительную энергию, и некоторые из них покидают ковалентные связи, становясь свободными. Незаполненная ковалентная связь заполняется одним из валентных электронов соседнего атома. На месте этого электрона образуется новая незаполненная связь, и далее процесс повторяется. Свободная ковалентная связь называется вакансией, её можно рассматривать, как свободный положительный носитель заряда, который называют дыркой. Процесс образования свободного электрона и дырки называется генерацией свободной электронно-дырочной пары. Свободные электроны, двигаясь по объёму полупроводника, теряют часть своей энергии и могут занимать место дырки. Этот процесс взаимного исчезновения электрона и дырки называется рекомбинацией. В результате рекомбинации электрон и дырка перестают существовать. В чистом беспримесном полупроводнике (их называют полупроводниками i – типа) всегда выполняется условие

, ,

где: ni и pi – соответственно концентрация электронов и дырок в полупроводнике; А - постоянный коэффициент; Т - температура по шкале Кельвина;
Download 0,64 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   15




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish