Учебно-методический комплекс по предмету наноэпитаксиальные слои и гетеросистемы Ташкент-2022 год. Данный учебный материал предназначен для магистров специальности «Нанотехнология полупроводниковых материалов»

МИНИСТЕРСТВО ВЫСШЕГО И СРЕДНЕГО СПЕЦИАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ РЕСПУБЛИКИ УЗБЕКИСТАН
ТАШКЕНТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ ИСЛАМА КАРИМОВА
ФАКУЛЬТЕТ ЭЛЕКТРОНИКИ И АВТОМАТИКИ
Зарегистрирован «Подтверждаю»
№_____________ Проректор учебной части «__»____________2022г _________________О.О. Зарипов
«__»____________2022г


Учебно-методический комплекс по предмету наноэпитаксиальные слои и гетеросистемы

Ташкент-2022 год.
Данный учебный материал предназначен для магистров специальности «Нанотехнология полупроводниковых материалов».
Составляли
Саидрахманова А.С.- магистер ТГТУ кафедры «Технология производства электронных аппаратов»
Умирзаков Б.Е..- д.ф.-м.н. профессор кафедры «Технология производства электронных аппаратов»

Рецензенты
Исаханов З.Р.- д.ф.-м.к ИПиЛТ АкРУз
Юсупжонова М.Б- доц. Кафедры «Технология производства электронных аппаратов»

Учебно-методический комплекс был обсужден и утвержден на заседании кафедры «__________» от ________2022г.

«Технология производства
электронных аппаратов»
Заф.кафедра _____________ доцент. Б.Б Гаибназаров
«Технология производства
электронных аппаратов»
секретарь кафедры _______________ О. Кимизбаева
Учебно-методический комплекс был обсужден и утвержден на заседании факультета «Электроника и автоматика» «__________» от ________2022г.

Секретарь научно-методического совета ______________ ______________

Учебно-методический комплекс по предмету наноэпитаксиальные слои и гетеросистемы


Содержание.

1. 
   Общие сведения о методах выращивания наноэпитаксиальных слоев……………….…… 4
   
2. 
   Роль тонких слоев в развитии электронных устройств………………………………….….. 7
   
3. 
   Виды эпитаксии, способы выращивания. Подготовка подложке…………..…..…………..10
   
4. 
   Контроль качества пластины и подложек. …………………………………………….…….11
   
5. 
   Структура твердых тел. Расположение атомов в трехмерных кристаллах……………..….13
   
6. 
   Смещение атомов на поверхности твердых тел. ………………………………...….…...…..15
   
7. 
   Расположение атомов на поверхности монокристаллов кремния и арсенида галлия……..17
   
8. 
   Общие сведения о наноматериалах. ………………………………………………………….20
   
9. 
   Особенности физических процессов, происходящих в наноплёнках, нанопроволоках, наноточках, наноматериалах. ………………………………………………………………………………..22
   
10. 
    Туннельный переход. Движение носителей тока в наноматериалах. ………………………25
    
11. 
    Общие сведения о сверхрешетках. Квантовая яма и потелциальный барьер.,,,,,,….28
    
12. 
    Переход частиц через много барьерные квантовые системы. ………………………………32
    
13. 
    Зависимость коэффициента перехода от энергии частиц. …………………………………..35
    
14. 
    Методы формирования эпитаксиальных пленок в условиях высокого вакуума. ………….56
    
15. 
    Молекулярно-лучевая эпитаксия. ……………………………………………..………………58