Учебно-методический комплекс по дисциплине «электротехнические материалы»

Контрольные вопросы
1.Чем отличаются полупроводники от металлов и диэлектриков по своим электрическим свойствам?
2. Объясните механизм электрической проводимости полупроводников.
3. Объясните устройство полупроводниковых диодов и транзисторов.
4. Что называется коэффициентом выпрямителя?
5. Как пользоваться многопредельными приборами?
Литература
1.Богородский Н. П., Пасынков В. В., Тареев Б. М. Электротехнические материалы. – Л. , «Энергоатомиздат», 1985.
2.Майофис И. М. Химия диэлектриков. – М. , «Химия», 1981.
3.А.Н.Дудкин. Электротехническое материаловедение. Учебное пособие. Томск 2000.
4.А.Н.Дудкин. Электротехническое Материаловедение. Методические указания по выполнению лабораторных работ. Томск 2000.
5.Б.И.Тареев и Н.А. Короткова и др. Электрорадиоматериалы. М., «Высшая школа», 1978.
6.Б.М.Тареев. Физика диэлектрических материалов. М., «Энергоиздат», 1982
7.Калинин Н.Н., Скибинский Г.Л., Новиков П.П. Электрорадиоматериалы. - М., «Высшая школа», 1981.

ЛАБОРАТОРНЫЕ ЗАНЯТИЕ


Лабораторная работа № 1
Изучение угла диэлектрических потерь и диэлектрической проницаемости твердых диэлектриков
Цель работы: Измерить емкость и tg образцов различных диэлектрических материалов и определить диэлектрическую проницаемость.
Сравнить с табличными данными.
Приборы и принадлежности: мост переменного тока типа: Р5058, класс точности 1,0; обкладки конденсатора площадью S=320 см2; образцы исследуемых материалов (гетинакс, оргстекло, электрокартон, пленкокартон).
Теоретическая часть
Определение диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь производится путем измерения емкости и проводимости образцов. Для измерений используется автоматический цифровой мост переменного тока типа Р5058.
Измеряемый образец воспринимается мостом в виде известных схем замещения диэлектрика: параллельной и последовательной. Последовательная схема воспринимается при нажатии кнопки моста ―С, tg ―. При этом измеряется непосредственно емкость образца С послед и тангенс угла диэлектрических потерь.
Параллельная схема воспринимается при нажатии кнопки моста ― С, G‖. При этом измеряется непосредственно емкость С пар алл и проводимость-G. Тангенс угла диэлектрических потерь вычисляется как отношение проводимости к емкостному сопротивлению: tg = G/ Cпар алл
Измерительная частота выбирается равной 10000 Гц (кнопка 104 Гц) Емкости при последовательной и параллельной схемах замещения равны приблизительно:
Спослед = Спар алл(1 + tg2 )
Поэтому при нажатии кнопок ―С, tg ― и ―С,G‖ измеренное значение емкости в рФ должно быть примерно одинаковым. Тангенс угла диэлектрических потерь в обоих случаях одинаков, однако, при нажатии кнопки ―С,G‖ измеряется G и требуется пересчет этой проводимости в tg .
Диэлектрическая проницаемость материала вычисляется по измеренным значениям емкости, толщины образца и площади электродов.