Tranzistorning sinusoidal generator sifatida qo’llanilishi Tajriba maqsadi

3.3. Tajriba qurilmasi va tajribani o’tkazish tartibi.

• 
  Т₁ tranzistorning U_BE kuchlanishini o’lchash uchun miltimetrdan foydalaning.
  
• 
  R₃ o’zgaruvchan qarshilikni shunday o’zgartirinki Т₁ ochiq va U_BE kuchlnishi 0.55 V ga teng bo’lsin.
  
• 
  Т₂ tranzistorning U_BE kuchlanishini o’lchash uchun miltimetrdan foydalaning.
  
• 
  R₇ o’zgaruvchan qarshilikni shunday o’zgartirinki Т₂ ochiq va U_BE2 kuchlnishi 0.55 V ga teng bo’lsin.
  

1. 
   Sinusoidal signal hosil qilish
   

• 
  Teskari bog’lanish zanjirini Vin ko’prigiga ulang.
  
• 
  Ossilograf yordamida A nuqtada U_A chiqish kuchlanishini kuzating.
  
• 
  Zarurat bo’lsa chiqishda sinusoidal signal olish uchun ishchi nuqtasini R₃ va R₇ rezistorlarni o’zgartirib toping.
  
• 
  f tebranish chastotasini aniqlang.
  

2. 
   Faza siljishini aniqlash.
   

• 
  A va B nuqtalarda ossilograf bilan signal shakli va Ua amplitudasini aniqlang (А nuqta Т₂ tranzistor kollektori, teskari bog’lanish signali, B nuqta Т₁ tranzistor kollektori, kirish signali).
  

3. 
   Turli RC elementlarda tebranish chastotasini o’lchash.
   

• 
  R rezistor qarshiligi va C kondensator sig’imi qiymatini jadvalda keltirilganlar bo’yicha o’rnating va tebranish chastotasini aniqlang.
  
• 
  Zarurat bo’lsa chiqishda sinusoidal signal olish uchun ishchi nuqtasini R₃ va R₇ rezistorlarni o’zgartirib toping.
  

3.4. O’lchash namunalari va natijalari
a) Sinusoidal signal olish

YI: 0,5 V/bo’linma AC
Vaqt yoyilmasi 5 mks/bo’linma
Vin ko’prigi sinusoidal signal hosil qiladi.
O’lchangan signal chastotasi: f = 32.1 kHz

2.