Tranzistorlar

 

3 –rasm. Umumiy bazaviy sxemada p-n-p turdagi tranzistorning 

kirishi (a) va chiqish (b) statik xarakteristikalarining oilasi 

 

Chiqish  xarakteristikasi  (3-rasm,  b)  o„zgamas  emitter  toki  Ie  da  kollektor 

toki Ik ning undagi kuchlanish U

k

 ga bog„liqligini, ya‟ni Ie 



 const da Ik 



 



(Uk) 

ni  ifodalaydi.  Bu  xarakteristikaning  qiyalik  burchagi,  qancha  kichik  bo„lsa, 

tranzistorning chiqish qarshiligi R

chiq. b

 shuncha katta bo„ladi.  

Tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalari statik bo„lishini ta‟kidlab 

o„tamiz.  

 Tranzistorning  umumiy  emitter  bilan  ulanish  sxemasi    2-rasm,  b  da 

ko„rsatilgan.  

Sxemaning  kirish  qarshiligi  baza  bilan  emitter  orasidagi  kuchlanish  U

b

 

ning baza toki I

b

 ga bo„lgan nisbati bilan aniqlanadi: 

R

kir, e



 

б

I

U

б

 

R

kir. e

 qiymatlarining diapazoni odatda 400- 2000 Om ni tashkil qiladi.  

Chiqish  qarshiligi  kollektor  kuchlanishi  Uk  ning  uning  toki  Ik  ga  bo„lgan 

nisbati kabi topiladi: 

---

R

chiq. e

 



 

k

k

I

U

 

va o„rtacha 25–400 kOm ga teng, ya‟ni umumiy bazali sxemadagiga nisbatan juda 

ham kichik 

Tok bo„yicha kuchaytirish koeffitsienti bu yerda kollektor toki  Ik (chiqish 

toki) ning baza toki I

b

 (kirish) ga nisbati kabi topiladi: 

 

 

 

 

 

 



 



 

б

k

I

I

 

Shunisi xarakterliki, tok bo„yicha kuchaytirish  umumiy  emitterli sxemada 

umumiy bazali sxemadagiga qaraganda o„rtacha 10-100 marta ko„p.  

Kuchlanish  bo„yicha  kuchaytirish  koeffitsienti  bu  yerda  xuddi  umumiy 

bazali sxemadagidek aniqlanadi va taxminan unga teng bo„ladi.  

K

U

 



 

ки р

н

U

U

 



 

кир

б

н

k

R

I

R

I



 



ки р

н

R

R

 

Kirish  xarakterisikasi  (4-rasm,  a)  emitter  bilan  kollektr  orasidagi 

kuchlanish U

k

 o„zgarmas bo„lganda baza toki I

b

 ning emitter bilan baza orasidagi 

kuchlanish  U

b

  ga  bog„liqligini,  ya‟ni  U

k

 



  const  da  I

b



 



(U

b

)  ni  ko„rsatadi.  Bu 

xarakteristika qancha tikroq bo„lsa, tranzistorning kirish qarshiligi shuncha kichik 

bo„ladi.