Tranzistorlar tuzilishi, ishlash prinsipi va parametrlariga koʻra 2 ta sinfga ajratiladi bipolyar va maydoniy (unipolyar) tranzistorlar

parametrlari deb qarash mumkin. Uning uchun maxsus U' belgilash
k iritila d i. X o n a tem p e ra tu ra s id a n o rm a l re jim d a U'= 0,7 V,
mikrorejimda esa U'=0,5 V. Agar to ‘g ‘ri kuchlanish U' kuchlanishdan
www.ziyouz.com kutubxonasi
atigi 0,1 V ga kichik bo‘lsa, o'tish deyarli berk hisoblanadi, chunki
bu kuchlanishda toklar nominaldan o ‘nlab marta kichik boiadi.
Yuqori tezkorlikka erishish uchun TTM tranzistorlari normal tok
rejimida ishlaydilar. Shuning uchun sxemaning statik rejimini tahlil
qilishda quyidagi soddalashtirishlar qabul qilingan, agar:
— p-n o ‘tish orqali to‘g‘ri tok oqib o'tayotgan bo‘lsa, u holda
o ‘tish ochiq va undagi kuchlanish ￡/*=0,7 V;
— p-n o ‘tish kuchlanishi teskari, yoki U' dan kichik bo‘lsa, u
holda o‘tish berk va oqib o ‘tayotgan tok nolga teng;
— tranzistor to ‘yinish rejimida bo'lsa, u holda kollektor — emitter
oralig‘idagi kuchlanish ￡ / '^ ^ = 0 ,3 + 0 ,4 V.
TTM elementning ish mexanizmini ko‘rib chiqamiz. Ulanish
sxemasiga binoan KET bazasining potensiali (B) doim uning kollektori potensialidan yuqori bo‘ladi. Demak, KET K 0 ‘ doim to ‘g‘ri siljiganbo'ladi. Tranzistor EO‘lariga kelsak, ular emitter potensiallarining umumiy shinaga nisbatan ulanishiga bog'liq.
Deylik, barcha kirishlar (XI va X2) potensiallari kuchlanish manbayi potensialiga teng bo‘lgan maksimal qiymatga ega bo lsin. Bunda mantiqiy 1 sath shakllanadi, ya’ni U’=EM ekanligi ravshan. U holda barcha EO‘lar teskari yo‘nalishda ulangan bo'ladi, chunki baza potensiali (B) R1 dagi kuchlanish pasayishi hisobiga doim emitter potensialidan past bo ‘ladi. KET tarkibidagi parallel ishlayotgan tranzistorlar invers ulangan bo‘ladi. Aytib o ‘tilganidek, C(/ kichik
bolganligi sababli, hisoblashlarda emitter tokini nolga teng deb olinadi,