Тошкент давлат техника университети Геология ва кончилик иши факультетида

Katta va o‘ta katta (BIS va SBIS) IS larda elementlar soni 104-109 gacha bo‘lib, ularni tayyorlash uchun izoplanar texnologiya yaratildi. Bu texnologiya yuqoridagi jarayenlarga kushimcha ravishda kremniy plastina yuzasida ximiyaviy yemirish yo‘li bilan relefli shakl hosil qilinadi. Nitrid kremniy plenkasi o‘stiriladi. FL o‘rniga rentgen nur litografiya va elektron nur litografiya usullari qullaniladi. Lokal yemirish uchun ion plazmali yemirish usullaridan foydalanish elementlar ulchamini kichraytirish imkonini beradi. Planar texnologiyani muxim jixati uning universalligidadir. Texnologik jarayo‘n 3 ta takrorlanib turuvchi operatsiyalar: ximiyaviy ishlov berish, termik ishlov berish va FL lardan iborat.

Integral mikrosxemalar shaklini plastina sirtida hosil qilish

• Integral mikrosxemalar shaklini plastina sirtida hosil qilish
• Fotolitografiya (FL) ning asosi quyidagidan iborat. Yarim o‘tkazgichli plastina sirtiga yupqa katlam yo‘ruglik sezgir lak - fotorezist (FR) suriladi. FR qatlami quritilgandan so‘ng plastina ustiga fotoshablon (FSh) (plastinaga ko‘chirish kerak bo‘lgan rasm hosil qilingan shisha fotoplastinka) qo‘yiladi. FR surilgan yarim o‘tkazgichli plastinkaning ustiga FSh qo‘yib yoritilsa (binafsha, ultrabinafsha nur bilan), FR ning yorug‘lik tushgan sohalari:

- negativ FRlarda ochiltiruvchi (proyavitel)da erimaydigan bo‘lib qoladi, yoritilmagan sohalari erib ketadi;

• - negativ FRlarda ochiltiruvchi (proyavitel)da erimaydigan bo‘lib qoladi, yoritilmagan sohalari erib ketadi;
• - pozitiv FR larda esa yoritilgan sohalari eruvchan tuzga aylanadi va ochiltiruvchida erib ketadi, yoritilmagan sohalari erimaydi.
• FR qatlamida hosil bo‘lgan darchalar orqali yarim o‘tkazgichli plastina yoki plyonka ximiyaviy yemiriladi.
• Fotorezistlar (FR) kislota va ishqorlarga chidamli, ma’lum to‘lqin uzunligidagi yorug‘likka sezgir moddalardir.

Yarim utkazgichli IS lar texnologiyasida negativ FR sifatida polivinil tsinnamat (PVS)- polivinil spirti murakkab efiri va korichna kislotasi ishlatiladi. Yoruglikka sezgirlik sohasi ultra binafsha nur. Poroshok shaklida bulib oq yoki sariq ranga ega. Organik eritgichlar toluol+xlorbenzol, atsetat metilinglikol+metoksilol aralashmalarida eriydi.

• Yarim utkazgichli IS lar texnologiyasida negativ FR sifatida polivinil tsinnamat (PVS)- polivinil spirti murakkab efiri va korichna kislotasi ishlatiladi. Yoruglikka sezgirlik sohasi ultra binafsha nur. Poroshok shaklida bulib oq yoki sariq ranga ega. Organik eritgichlar toluol+xlorbenzol, atsetat metilinglikol+metoksilol aralashmalarida eriydi.
• FR katlamining kislotaga chidamliligi HF va HNO3 kislotalarida katta emas. Ximoyalovchi FR katlami qalinligi 0,5 mkm bo‘lganda kremniyda yemirish mumkin bo‘lgan chukurlik 10 mkm dan, germaniyda 40 mkm dan oshmaydi.