Тошкент давлат техника университети Геология ва кончилик иши факультетида

Planar texnologiyasida FR ti SiO2 qatlamini yemirgichdan himoya qilish uchun ishlatiladi.

• Planar texnologiyasida FR ti SiO2 qatlamini yemirgichdan himoya qilish uchun ishlatiladi.
• Pozitiv FR sifatida 1,2-naftoxinandiazit (2)-5-novolak sulfo efirining turli polimerlaridan iborat aralashma ishlatiladi. Eritgich sifatida spirtlar, ketonlar, aromat uglevodorodlar, dioksan ksilol ishlatiladi. NXDA- naftoxinandiazit FR tining yoruglikka sezgirligi ultra binafsha yoruglikda PVS FR tiga nisbatan katta to’lkin uzunligi tomonga surilgan. FR ning asosiy parametrlari:
• - yoruglikka sezgirligi: hosil qilingan shaklning aniqligi.
• - ajratish qobilyati: FR yordamida 1mm da hosil qilish mumkin bo‘lgan chiziklar soni.
• - kislotaga chidamliligi: ayrim nuqtalar va kirralarning kislotada yemirilish darajasi bilan baholanadi.

Fotorezistlarning asosiy turlari va parametrlari

Fotorezistlarning asosiy turlari va parametrlari

IMSlar planar yoki planar – epitaksial texnologiyada ishlab chiqariladi

IMSlar planar yoki planar – epitaksial texnologiyada ishlab chiqariladi

Planar texnologiyada n-p–n tranzistor tuzilmasini yasashda p–turdagi yarim o‘tkazgichli plastinaning alohida sohalariga teshiklari mavjud bo‘lgan maxsus maskalar orqali mahalliy legirlash amalga oshiriladi. Maska rolini plastina sirtini egallovchi kremniy ikki oksidi SiO2 o‘ynaydi. Bu pardada maxsus usullar (fotolitografiya) yordamida darcha deb ataluvchi teshiklar shakllanadi. Kiritmalar yoki diffuziya (yuqori temperaturada ularning konsentratsiya gradiyenti ta’sirida kiritma atomlarini yarim o‘tkazgichli asosga kiritish), yoki ionli legirlash yordamida amalga oshiriladi. Ionli legirlashda maxsus manbalardan olingan kiritma ionlari tezlashadi va elektr maydonda fokuslanadi va asosga tushadi natijada yarim o‘tkazgichning sirt qatlamiga singadi.

Planar texnologiyada yasalgan yarim o‘tkazgichli bipolyar tuzilmali IMS namunasi va uning ekvivalent elektr sxemasi 1 a, b - rasmda keltirilgan.