Тошкент давлат техника университети Геология ва кончилик иши факультетида

Har qanday IS yaratishda bajariladigan asosiy texnologik jarayonlar:

• Har qanday IS yaratishda bajariladigan asosiy texnologik jarayonlar:
• Bunday plastinka vazifasini kremniy, germaniy, galliy arsenidi yoki galliy fosfidlar bajaradi. Plastinkalar diametri odatda 30  300 mm ni tashkil etadi. Mazkur plastinkalarda bir paytda yuzlab-minglab tranzistorlar tayyorlanadi.
• 1. Kremniy quymasidan plastina qirqish, mexanik ishlov berish
• 2. Ximiyaviy ishlov berish bilan plastina sirtini tozalash.
• 3. Oksidlash yo‘li bilan kremniy plastina sirtida SiO2 qatlam hosil qilish, bu qatlam lokal diffuziyalash jarayo‘nida kirishmaga to‘siq vazifasini bajaradi.
• 4. Kremniyli yo‘ki bo‘shqa materialli (masalan sapfir) plastina yuzasida kremniy epitaksial qatlamini o‘stirish.

5. Kremniy plastinasida diffuziya va ionli legirlash usullari bilan kirishma kiritilgan sohalar hosil qilish.

5. Kremniy plastinasida diffuziya va ionli legirlash usullari bilan kirishma kiritilgan sohalar hosil qilish.

6. Plastina ishchi yuzasiga metall qatlamlari hosil qilish bilan omik tutashuv, elementlarni o‘zaro ulash yo‘lchalarini yaratish.

7. Lokal diffuziyaga SiO2 qatlamda darcha ochish va elementlarni o‘zaro ulash y o‘lchalarini yaratish uchun FL jarayo‘nini bajarish.

8. Bitta plastinada yaratilgan IS larni parametrlarini tekshirish va yaroqlilarini saralash.

9. Plastinani kristallarga bulish va yaro‘qli IS larni qutilarga joylashtirish.

10. Mexanik mustahkamligini temperatura o‘zgarishiga va namlikka chidamliligini texnologik sinash.

11. IS parametrlarini so‘nggi tekshirish.

Katta va o‘ta katta (BIS va SBIS) IS larda elementlar soni 104-109 gacha bo‘lib, ularni tayyorlash uchun izoplanar texnologiya yaratildi. Bu texnologiya yuqoridagi jarayenlarga kushimcha ravishda kremniy plastina yuzasida ximiyaviy yemirish yo‘li bilan relefli shakl hosil qilinadi. Nitrid kremniy plenkasi o‘stiriladi. FL o‘rniga rentgen nur litografiya va elektron nur litografiya usullari qullaniladi. Lokal yemirish uchun ion plazmali yemirish usullaridan foydalanish elementlar ulchamini kichraytirish imkonini beradi. Planar texnologiyani muxim jixati uning universalligidadir. Texnologik jarayo‘n 3 ta takrorlanib turuvchi operatsiyalar: ximiyaviy ishlov berish, termik ishlov berish va FL lardan iborat.