Тошкент давлат техника университети Геология ва кончилик иши факультетида

Boshqacha aytganda, mikrosxemani tayyorlash ko’pgina texnologik operatsiyalar bitta tranzistorni tayyorlash jarayonidan ko’p farq qilmasada, qo’shimcha ma’lum bir texnologik operatsiyalar hisobiga mikrosxema ko’pgina funksiyalarni bajarish imkoniyatga ega bo’ladi.

• IS larning afzalliklari:

-IS larning ulchamlari kichikligi va massasining kamligi tufayli EHM larni yaratishda va aloqa sistemalarida (tezkorligi tufayli) keng qo‘llaniladi.

-Tannarxining arzonligi va ekspluatatsion xarakteristikalarining yaxshiligi tufayli IS lar uta murakkab sxemalarning sifatini oshirish imkonini beradi.

IS larning kamchiliklari:

• IS larning kamchiliklari:
• -Yuqori chastotalarda IS xarakteristikalari yomonlashadi.
• -Passiv elementlar temperaturaviy koeffitsiyentlari ancha katta qiymatlarga ega
• -Rezistorlar qarshiligi 10-50 kOm, kondensatorlar sigimi esa 200 pF dan kam
• -Induktiv galtaklarni IS larda yaratish juda murakkab.

Integral sxemalar tayyorlashda asosiy texnologik jarayonlar Ikki xil turdagi IS lar tayyorlanadi:-yarim o‘tkazgich kristalining mikrosohalariga lokal ishlov berib, bironta element funksiyasini bajaradigan holatga keltiriladi va bu sohalarni uzaro ulanishlarini xosil qilinadi (yarim o‘tkazgichli IS lar).

Integral sxemalar tayyorlashda asosiy texnologik jarayonlar Ikki xil turdagi IS lar tayyorlanadi:-yarim o‘tkazgich kristalining mikrosohalariga lokal ishlov berib, bironta element funksiyasini bajaradigan holatga keltiriladi va bu sohalarni uzaro ulanishlarini xosil qilinadi (yarim o‘tkazgichli IS lar).

-bironta dielektrik taglikka turli materiallarning yupqa qatlamlaridan iborat elementlar va ularning ulanishlari hosil qilinadi (yupqa qatlamli IS lar). Bu ikki usulning qo‘shilishidan gibrid IS lar xosil kilindi (GIS). GIS larda yupka katlamli elementlar passiv elementlar (rezistorlar, kondensatorlar) bulib, aktiv elementlar mikroulchamli yarimutkaz gichli aktiv elementlar (tranzistor,diod va ularning yigindilari).