Toshkent axborot texnologiyalari universiteti Urgench filiali referat mavzu

to‘yinish
rejimida (ikkala o‘tish ham to‘g‘ri yo‘nalishda 
siljigan), yoki 
berk
rejimda (ikkala o‘tish teskari siljigan) ishlashi mumkin. 
Maydoniy tranzistorlarda yasalgan kuchaytirgichlar. Maydoniy tranzistorlardan 
kuchaytirgich yasashda umumiy istok (UI) sxemada ulangan maydoniy tranzistorlar keng 
qo‘llaniladi. 12.18 –rasmda n – kanalli p–n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy 
tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi keltirilgan. p–n o‘tish bilan boshqariladigan 
maydoniy tranzistorda stok va zatvorga berilayotgan kuchlanish ishoralari (qutblari) bir - 
biriga teskari bo‘lishi kerak. Shu sababli o‘zgarmas tok bo‘yicha rejim hosil qilish 
uchun R
I
rezistor kiritiladi va u ketma-ket MTAni hosil qiladi. Bundan tashqari, 
kuchaytirgich parallel kirishlariga R
SIL
rezistor ulanadi va u zatvorni umumiy shina bilan 
galvanik aloqasini ta’minlaydi va kuchaytirgich kirish qarshiligini barqarorlaydi. 

---

Berilgan I
S0
sokinlik toki uchun R
I
kattaligi maydoniy tranzistor stok – zatvor VAXsidan 
aniqlanadi. VAXdan U
ZI0 
ni aniqlab R
I
ni quyidagi ifodadan qiynalmas aniqlash mumkin: 
Kirishga o‘zgaruvchan signalning musbat yarim davri U
KIR
berilganda chiqishda teskari 
fazadagi signal U
ChIQ
hosil bo‘ladi, ya’ni UI sxemadagi kuchaytirgich bosqichi kirish 
signalini inverslaydi. 
Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffisienti quyidagiga teng 
“Manfiy” ishora UIli sxema signalni inverslashini bildiradi. Amaliyotda , shu sababli 
kuchaytirish koeffisientini quyidagi ko‘rinishda ifodalash mumkin 
UI sxemadagi real kuchaytirgich bosqichlarida Ku=3

÷50, R
KIR

R
SIL
, R
ChIQ

R
S
.