Тема: Ознакомится с технологией и классификацией подготовки имс

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 2
Выполнил студент группы 617-20
Исаков Азиз
Тема: Изучение системы обозначений ИМС
Цель работы: Изучение системы обозначений ИМС.



1. Теоретическая часть
Подготовительные операции. Начинается с получения монокристаллических сплавов кремния - основного материала для изготовления полупроводниковых ИМС. Существует несколько способов получения монокристаллических слитков.
При методе Чохральского Монокристалл кремния опускают на поверхность сверхчистого кремниевого раствора с добавлением донорных или акцепторных включений. Монокристалл, расплавленный раствором, поднимается, медленно вращаясь вокруг своей оси. При повышении монокристалла раствор кристаллизуется и образуется Монокристалл кремния. Полученный кремниевый слиток будет иметь n– или p–разную электропроводность. Длина отливки может составлять 150 см, а диаметр-150 мм и больше.
Широкое распространение получили методы газофазной и жидкофазной эпитаксии, позволяющие создавать на поверхности монокристаллического основания эпитаксиальные слои с n– или p–различной проницаемостью.
Термическое окисление. Термическое окисление-процесс, заключающийся в искусственном окислении с целью образования на поверхности кремния оксидного (SiO2) слоя (вуали). Протекает при высоких (1000÷1200) 0С температурах.
При изготовлении ИМС слой SiO2 выполняет несколько важных функций: поверхностный защитный слой; выполняя функцию маски, из прорези в нем делают необходимые вставки; в мдп – транзисторах он выступает в качестве тонкого диэлектрического слоя под затвором.

Рисунок 2.1. Последовательность процесса фотолитографии.
Кристаллы, пригодные для использования, помещаются в раковины, где Кристалл сначала приклеивается к раковине или склеивается. Затем контактные поверхности на поверхности кристалла соединяются с электродами оболочки тонкими (ø 20÷30 мкм) проводами. При соединении проводов используется термокомпрессия, то есть контактная поверхность или электрод микросхемы с соединяемым проводом прижимаются друг к другу при температуре 200÷300 ⁰S и высоком давлении. После завершения монтажных операций поверхность кристалла обрабатывают оболочкой для защиты от воздействия окружающей атмосферы. В обычных интегральных схемах число выходных электродов может составлять 8-14, а в Кис-до 64 и более. Корпуса БИС изготавливаются из металла или пластика. Существуют также типы БИС без оболочки.