|
Yuqori chastotalarda ushbu mikrosxemalarning yutug'i bir xil - taxminan 50 ga teng. Shuning uchun ularning har qandayidan ham past, ham yuqori chastotali tebranishlarni kuchaytirish uchun foydalanish mumkin va shuning uchun bizning tajribalarimiz uchun.Tashqi kurinish va ushbu kuchaytirgich mikrosxemalarining qurilmalarning sxematik diagrammalaridagi ramziy belgisi shakl. 88. - Yuqori chastotalarda ushbu mikrosxemalarning yutug'i bir xil - taxminan 50 ga teng. Shuning uchun ularning har qandayidan ham past, ham yuqori chastotali tebranishlarni kuchaytirish uchun foydalanish mumkin va shuning uchun bizning tajribalarimiz uchun.Tashqi kurinish va ushbu kuchaytirgich mikrosxemalarining qurilmalarning sxematik diagrammalaridagi ramziy belgisi shakl. 88.
- Ular to'rtburchaklar plastik kassaga ega. Tananing yuqori qismida pin raqamlari uchun mos yozuvlar nuqtasi sifatida xizmat qiladigan belgi mavjud. Mikrosxemalar 7,3 (+ Usup) terminallari va 6,3 V doimiy manbadan quvvat olish uchun mo'ljallangan. 14 (— U Pit).
- Quvvat manbai o'zgaruvchan chiqishi o'zgaruvchan tok manbai yoki to'rtta 334 va 343 xujayralardan tashkil topgan akkumulyator bo'lishi mumkin.
K118UN1A (yoki K118UN1B) mikrosxemasi bilan birinchi tajriba rasmda ko'rsatilgan sxema bo'yicha amalga oshirildi. 89. Elektron platalar uchun taxminan 50X40 mm o'lchamdagi karton plastinadan foydalaning.
Xulosa bilan chip 1, 7, 8 va 14 kartondagi teshiklardan o'tgan shtapellarga lehim. Ularning barchasi mikrosxemani taxtada ushlab turadigan tokchalar va pinlarning qavslari sifatida ishlaydi 7. va 14, bundan tashqari, kontaktlarni akkumulyator bilan ulash GB1 (yoki AC adapteri).
Ularning o'rtasida, mikrosxemaning ikkala tomonida, qo'shimcha qismlar uchun oraliq bo'ladigan yana ikkita yoki uchta kontaktni mustahkamlang. Kondensatorlarni taxtga o'rnatib qo'ying C1(K50-6 yoki K50-3 turi) va C2(KYAS, BM, MBM), minigarniturani mikrosxemaning chiqishiga ulang 2-da.
Mikroto'lqinning kirish qismiga ulang (kondansatör orqali) C1) elektrodinamik mikrofon 1da DEM-4m har qanday turdagi yoki telefon kapsulasi, quvvatni yoqing va telefonlarni qulog'ingizga yaqinroq qilib, mikrofonni qalam bilan ozgina urib
qo'ying. Agar tahrirlashda xatolar bo'lmasa, telefonlar barabanni bosish kabi tovushlarni eshitishi kerak.
Do'stingizdan mikrofon oldida biron bir narsa aytishini so'rang - telefonda uning ovozini eshitasiz. Mikrofon o'rniga siz radioeshittirish (abonent) karnayini mos keladigan transformator bilan mikrosxemaning kirish qismiga ulashingiz mumkin. Effekt taxminan bir xil bo'ladi.
Bir harakatli telefon qurilmasi bilan tajribani davom ettirib, elektr zanjirining umumiy (manfiy) o'tkazuvchisi va terminal o'rtasida ulaning 12 mikrosxemali elektrolitik kondansatör SZ, kesilgan chiziqlar bilan diagrammada ko'rsatilgan. Bunday holda, telefonlarda ovoz balandligi oshishi kerak.
Xuddi shu kondansatör chiqish davriga kiritilgan bo'lsa, telefonlar yanada balandroq eshitiladi 5 (89-rasmda - kondansatör C4). Ammo agar bir vaqtning o'zida kuchaytirgich hayajonlansa, u holda 5-10 mF quvvatga ega elektrolitik kondansatkichni umumiy sim va pin 11 o'rtasida yoqish kerak bo'ladi. nominal kuchlanish 10 V
Yana bir tajriba: xulosalar orasida 10 va 3 5-10 ming pikofarad hajmli keramik yoki qog'oz kondansatör mikrosxemalari. Nima bo'ldi? Endi telefonlarda tinimsiz o'rta tonna ovozi bor. Ushbu kondansatörning quvvati oshishi bilan telefonlarda ovoz tonusi pasayishi va kamayishi bilan ortishi kerak. Buni tekshiring.
Va endi biz ushbu "qora quti" ni ochamiz va uning "to'ldirilishini" ko'rib chiqamiz (90-rasm). Ha, bu uning tranzistorlari o'rtasida to'g'ridan-to'g'ri bog'langan ikki bosqichli kuchaytirgich. Silikon tranzistorlar, n tuzilmalar -R-n. Mikrofon tomonidan yaratilgan past chastotali signal (C1 kondansatörü orqali) mikrosxemaning kirish qismiga (pin 3) beriladi.
Rezistor bo'ylab kuchlanish pasayishi R6 tranzistorning emitent pallasida V2, rezistorlar orqali R4 va R5 tranzistor bazasiga beriladi VI va uni ochadi. Qarshilik R1 — ushbu tranzistorning yuki. Undan olingan kuchaytirilgan signal tranzistor bazasiga o'tadi V2 qo'shimcha mustahkamlash uchun.
Transistorli yuk bilan tajriba kuchaytirgichida V2 uning kollektor sxemasiga ulangan minigarnituralar bor edi, ular past chastotali signalni ovozga aylantirdilar.
Ammo uning yuki qarshilik bo'lishi mumkin R5 mikrosxemalar, agar siz pimlarni bir-biriga ulasangiz 10 va 9. Bunday holda, telefonlar umumiy simni va ularning
birlashma nuqtasi o'rtasida bir nechta mikrofarad quvvatga ega elektrolitik kondansatör orqali (mikrosxemaga ijobiy plastinka bilan) ulanishi kerak.
Kondensatorni umumiy sim va chiqish o'rtasida yoqilganda 12 mikrosxemaning ovoz balandligi oshdi, nega? Chunki u qarshilikni chetlab o'tmoqda R6 mikrosirkulyatsiya, unda ishlaydigan salbiy o'zgaruvchan teskari aloqani zaiflashtirdi.
Transistorning asosiy zanjiriga ikkinchi kondensatorni kiritganingizda salbiy teskari aloqa yanada zaiflashdi V1. Va umumiy sim va chiqish o'rtasida bog'langan uchinchi kondansatör 11, qarshilik bilan hosil bo'lgan R7 kuchaytirgichni hayajonlanishiga to'sqinlik qiladigan mikrosxemani ajratish filtri.
Kondensator terminallar o'rtasida yoqilganda nima bo'ldi 10 va 5? U kuchaytirgichning chiqishi va kiritilishi o'rtasida ijobiy teskari aloqa yaratdi, bu uni audio chastotali osilatorga aylantirdi.
Shunday qilib, siz ko'rib turganingizdek, K118UN1B (yoki K118UN1A) mikrosxemasi past chastotali yoki yuqori chastotali, masalan, qabul qilgichda bo'lishi mumkin bo'lgan kuchaytirgichdir. Ammo u ham past, ham yuqori chastotali elektr tebranishlarining generatoriga aylanishi mumkin.
Do'stlaringiz bilan baham: |
