Tayyorlash usuli va bunda hosil bo‘ladigan tuzilmasiga ko‘ra

Bipolyar tranzistorlar asosidagi integral mikrosxemalarni tayyorlash
BTli IMSIar elemenUari (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar, kondensatorlar) asosini n* — p — n tuzilma tashkil etadi.
IMS tayyorlash uchun planar, planar — epitaksial texnologiyalardan
foydalaniladi. Planar texnologiyada elementlar p — yoki n — turli yarimo‘tkazgich asosda hosil qilinadi. Planar-epitaksial texnologiyasida elementlar asos sirtiga o‘stirilgan epitaksial qatlamda hosil qilinadi.
Texnologiya asosni (epitaksial qatlamni) navbatma-navbat donor va akseptor kiritmalar bilan legirlashga asoslanadi, natijada sirt tagida turli o‘tkazuvchanlikka ega yupqa qatiamlar va qatiamlar chegarasjda p—n oiishlar hosil boiadi. Alohida qatiamlar rezistorlar sifatida, p —n oiishlar esa diod va tranzistor tuzilmalari sifatida ishlatiladi. Kondensatorlar sifatida teskari siljitilgan p~ti o'tishlar xizmat qiladi.
Integral rezistorlar. Integral rezistorlar tranzistorlaming baza yoki emitter sohasini hosil qilish operatsiyasi bilan bir vaqtda tayyorlanadi. Rezistor qarshiligi berk holatdagi p—n o'tish chegarasi bilan cheklangan qatlamning hajmiy qarshiligidan iborat bo'ladi. Emitter soha asosida qarshiligi 3-s-100 Om bo'lgan kichik qarshilikli rezistorlar hosil qilinadi, chunki emitter qatlamning solishtirma qarshiligi kichik boiadi. Katta qarshilikli rezistorlar nisbatan katta solishtirma qarshilikka ega baza qatlamda tayyorlanadi. Bunday rezistorlarning maksimal qarshiligi 200-300 kOm boiadi.
Integral kondensatorlar. Integral kondensatorlar hosil qilish uchun ixtiyoriy p~n o‘tish: kollektor — asos, baza — kollektor, emitter — baza, yashirin n+ — qatlam — izolatsiyalovchi p — soha ishlatilishi mumkin. Teskari siljitilgan p~n o'tishning barer sig‘imi berilayotgan kuchlanishga bogiiq boiadi. Ko‘p hollarda kollektor o‘tish sig'imi ishlatiladi.