Tadqiqot maqsadida maydoniy tranzistorlar tayyorlash uchun eng keng qo`llaniluvchi xlorli muhitda ( daqiqa ) kremniyni

3.1. Uch qatlamli strukturalar parametrlariga ultratovush ishlovi ta’siri
[17,20] ishlarda ko`rsatilganki, metall – dielektrik – yarimo`tkazgich strukturaning yarimo`tkazgich asosida kirishmaviy markazlar [17,18] yoki yot tabiatli markazlar [19,20] mavjudligi (asosan ularni kontsentratsiya taqsimoti kesimida mavjudligi) yarimo`tkazgich taqiqlangan zonasi kengligi bo`ylab sirtiy holatlar zichligi taqsimoti spektriga ta’sir ko`rsatadi. [21,22] ishlarda, yarimo`tkazgich bilan ajralish chegarasiga tegib turgan [21] dielektrik qatlamda lokallashgan zaryadlangan markazlarning mavjudligi [22] metall – dielektrik – yarimo`tkazgich struktura volt – farada xarakteristikasini o`zgartishi va sirtiy holatlar zichligi taqsimotiga ta’sir ko`rsatishi ko`rsatilgan.
[25] ishda ultratovush (UT) ishlovi oldindan γ – kvantlar bilan nurlantirilgan MOYa strukturalardagi sirtiy zaryadlar effektivligi kamayishiga olib kelishi ko`rsatilgan. Ushbu fakt hamda UT – ishlovining yarimo`tkazgichlar nuqsonli strukturasiga ijobiy ta’siri haqidagi [26-28] ishlar oldindan nurlanishga duchor qilingan MOYa strukturalardagi ajralish chegaralari generatsion – rekombinatsion xarakteristikasiga UT – ishlovi ta’sini o`rganishga qiziqish uyg’otadi.
Ushbu bobda yarimo`tkazgich – dielektrik fazalar aro ajralish chegarasining o`zida lokallashgan markazlarning sirtiy holatlar taqsimoti zichligiga ta’siri haqidagi mahlumotlar keltirilgan va ularning ultratovush ishlovi ta’sirida o`zgarishi keltirilgan.
Tadqiqot maqsadida maydoniy tranzistorlar tayyorlash uchun eng keng qo`llaniluvchi xlorli muhitda ( daqiqa ) kremniyni ( <100> kristallografik orientatsiyali KEF – 5 ) termik oksidlash metodi yordamida tayyorlangan turidagi metal – yarimo`tkazgich – dielektrik struktura foydalanildi. Asos qilib qolingan Si dagi kislorod kontsentratsiyasi ni tashkil qiladi. Tadqiqotning asosiy metodi sifatida yuqori chastotali statik volt – farada xarakteristikalari metodidan foydalanildi.
15 rasmda tayyorlangan strukturalardan birining oksid qatlami kattaligiga nisbatan normalllashtirilgan, qorong’ulikda, 21<sup>o</sup>C haroratda, 150 kGts chastotada o`lchangan volt – farada xarakteristikalaridan biri keltirilgan. Ko`rinib turibdiki, qo`yilgan kuc hlanishning – 0,5 V qiymati yaqinida xarakteristika monoton emas. 13 rasmda volt – farada xarakteristikasi 12 rasmda keltirilgan struktura uchun Si taqiqlangan zonasi kengligi bo`ylab sirtiy holatlar zichligining integral taqsimoti keltirilgan. Kuchlanishning -0,5 V qiymatiga mos keluvchi energiyaning qiymati yaqinida xarakteristika monoton emasligi ko`rinib turibdi.