Т. В. Свистова основы микроэлектроники учебное пособие


 Интегральные транзисторы СВЧ-диапазона



Download 2,59 Mb.
Pdf ko'rish
bet51/61
Sana24.02.2022
Hajmi2,59 Mb.
#218460
1   ...   47   48   49   50   51   52   53   54   ...   61
Bog'liq
svistova-t.v.-osnovy-mikroelektroniki (1)

5.2. Интегральные транзисторы СВЧ-диапазона 
Основной тип СВЧ-транзисторов - это полевые транзи-
сторы с барьером Шоттки в качестве затвора, выполненные по 
арсенид-галлиевой технологии. На рис. 5.4 представлена 
структура полевого транзистора на арсениде галлия с каналом 
п-типа. Между затвором и слоем канала введен слой нелегиро-
ванного GаА1Аs толщиной 300 Å, назначение которого заклю-
чается в увеличении пробивного напряжения «затвор - сток». 


122
Рис. 5.4. Структура транзистора с барьером Шоттки 
Разнообразные типы полевых транзисторов можно клас-
сифицировать по механизму переноса носителей. При дрейфе 
электронов от истока к стоку они испытывают большое коли-
чество соударений. Напряженность поля в канале полевых 
транзисторов обычно превышает 10 кВ/см, а среднее значение 
энергии электронов в установившемся режиме - более 3 эВ. 
Частота соударений при этом намного превышает 10
13
с
-1
. По-
скольку пролетное время составляет 10
-12
с, носители испыты-
вают за время пролета десятки или сотни соударений. За время 
10
-13
с, проходящее между двумя соударениями, носители про-
ходят расстояние, не превышающее 400 А. 
При конструировании полевых транзисторов приходи-
лось сталкиваться с проблемой падения подвижности при по-
вышении концентрации носителей в канале, необходимой при 
малой длине канала. Поскольку рост концентрации носителей 
связан с повышением степени легирования, то возрастание 
концентрации доноров увеличивает вероятность столкновения 
носителей с ионами доноров и снижает подвижность. Исполь-
зование гетеропереходов позволило разрешить это противоре-
чие: двумерный электронный газ обеспечивает возможность 
получения слоя с повышенной концентрацией носителей без 
увеличения концентрации доноров и свободных электронов, 
что дает возможность получать высокие концентрации. 


123
Изменение степени легирования в данных транзисторных 
структурах нашло отражение в их названии - «модуляционно 
легированный» или «селективно легированный». 
Возможны и другие варианты транзисторной структуры с 
высокой подвижностью электронов (НЕМТ, High Е1есtrоn 
Моbilitу Тrаnsistor), например, с каналом в слое на основе уз-
козонного полупроводника GаАs и слоем «поставщиком элек-
тронов» - широкозонным полупроводником AlInAs. 
Подвижность в канале GаInАs при 300 К достигает 10000 
см
2
/(Вс). Обеспечивается высокая плотность заряда в слое 
двумерного электронного газа (3 - 4,5)х10
12
см
-2

При этом необходимо отметить, что все эти качества в 
транзисторе с высокой подвижностью электронов в значитель-
но большей степени проявляются при пониженных температу-
рах. 
Одним из серьезных препятствий на пути реализации 
возможностей транзисторов с высокой подвижностью элек-
тронов является наличие глубоких ловушек для электронов 
при высоком уровне содержания алюминия в AlGаAs. Для по-
лучения слоя с двумерным электронным газом содержание 
алюминия в AlGаAs должно превышать х  0,2, но при этих 
значениях глубокие ловушки приводят к срыву стоковых ВАХ, 
повышению уровня генерационно-рекомбинационных шумов 
и даже к появлению эффекта фоточувствительности. 
В качестве меры противодействия предлагается форми-
ровать слой двумерного электронного газа на границе раздела 
AlGаAs / InGаАs. Другими словами, эта модификация транзи-
стора отличается введением между слоем AlGаAs (30 - 40 А) и 
нелегированным GаАs (1 мкм) слоя InGаАs толщиной в 200 А. 
Эта модификация получила название псевдоморфного тран-

Download 2,59 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   47   48   49   50   51   52   53   54   ...   61




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish