Т. В. Свистова основы микроэлектроники учебное пособие

Подложка ИС - заготовка, предназначенная для изготов-
ления на ней элементов гибридных и пленочных ИС, межэле-
ментных и межкомпонентных соединений, контактных пло-
щадок. 
Плата ИС - часть подложки (или вся подложка), на по-
верхности которой выполнены пленочные элементы, контакт-
ные площадки и линии соединений элементов и компонентов. 
Полупроводниковая пластина - заготовка, используемая 
для создания ИС (иногда с выполненными на ней элементами). 
Кристалл ИС - часть пластины, полученная после ее 
резки, когда на одной пластине выполнено несколько функ-
циональных устройств. 
Контактные площадки - металлизированные участки 
на кристалле, предназначенные для присоединения к выводам 
корпуса ИС. 
Бескорпусная микросхема - ИС, содержащая кристалл и 
выводы (применяется для создания микросборок). 
Критерием сложности ИС, т.е. числа N содержащихся в 
ней элементов и простых компонентов, является степень ин-
теграции, определяемая коэффициентом k = lg N, значение 
которого округляется до ближайшего целого числа. Так, ИС 
первой степени интеграции (k = 1) содержит до 10 элементов и 
простых компонентов, второй степени интеграции (k = 2) - 
свыше 10 до 100, третьей степени интеграции (k = 3) - свыше 
1000 до 10 000 и т.д. Интегральную схему, содержащую 500 и 
более элементов, изготовленных по биполярной технологии, 
или 1000 и более, изготовленных по МДП-технологии, назы-
вают большой интегральной схемой (БИС). Если число N 
превышает 10 000, то ИС называют сверхбольшой (СБИС). На 
смену СБИС приходят так называемые ультрабольшие инте-
гральные схемы (УБИС), содержащие на одном кристалле от 
нескольких сотен тысяч до нескольких миллионов элементов. 
Различают технологическую (ТСИ) и функциональную 
(ФСИ) степени интеграции. ТСИ - отражает число компонен-

---

10 
тов в кристалле; ФСИ - отражает число функциональных ячеек 
в кристалле. 
Важным показателем качества технологии и конструкции 
ИС является плотность упаковки элементов на кристалле - 
число элементов, приходящихся на единицу площади. Кроме 
уменьшения размеров элементов для повышения плотности 
элементов на кристалле используется совмещение нескольких 
(обычно двух) функций некоторыми областями полупровод-
никового кристалла, а также трехмерные структуры, разделен-
ные диэлектрическими прослойками. 
Уровень технологии характеризуется минимальным