Т. В. Свистова основы микроэлектроники учебное пособие



Download 2,59 Mb.
Pdf ko'rish
bet7/61
Sana24.02.2022
Hajmi2,59 Mb.
#218460
1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   ...   61
Bog'liq
svistova-t.v.-osnovy-mikroelektroniki (1)

технологическим размером ∆, т.е. наименьшими достижи-
мыми размерами легированной области в полупроводниковой 
области, в полупроводниковом слое на поверхности, напри-
мер, минимальной шириной эмиттера, шириной проводников, 
расстояниями между ними. Для полупроводниковых ИС 
уменьшение по мере совершенствования технологии приводит 
к улучшению их электрических параметров, например, повы-
шению быстродействия из-за снижения паразитных емкостей 
p-n-переходов, увеличению крутизны полевых транзисторов. 
Основными тенденциями развития полупроводниковых 
микросхем являются увеличение степени интеграции и быст-
родействия.
Развитие микроэлектроники идет в основном по пути 
уменьшения размеров элементов (хотя растет и площадь кри-
сталла), причем удвоение плотности упаковки происходит в 
среднем за 2 года.
В 1970-х годах минимальный контролируемый размер 
серийно производимых микросхем составлял 2 - 8 мкм, в 1980-
х он был уменьшен до 0,5 - 2 мкм. 
В 1990-х годах, из-за нового витка «войны платформ», 
стали внедряться в производство и быстро совершенствоваться 
экспериментальные методы: в начале 1990-х процессоры (на-
пример, ранние Pentium и Pentium Pro) изготавливали по тех-
нологии 0,5 - 0,6 мкм (500 - 600 нм), потом технология дошла 
до 250 - 350 нм. Следующие процессоры (Pentium II, K6-2+, 


11 
Athlon) уже делали по технологии 180 нм. В 2002 - 2004 годах 
были освоены техпроцессы 90 нм (Winchester AMD 64, Prescott 
Pentium 4). 
Следующие процессоры изготавливали с использованием 
УФ-излучения (эксимерный лазер ArF, длина волны 193 нм). В 
среднем внедрение лидерами индустрии новых техпроцессов 
по плану ITRS происходило каждые 2 года, при этом обеспе-
чивалось удвоение количества транзисторов на единицу пло-
щади: 45 нм (2007), 32 нм (2009), 22 нм (2011), производство 
14 нм начато в 2014 году, освоение 10 нм процессов ожидается 
около 2018 года. 
Уменьшение топологических размеров элементов приво-
дит к улучшению электрических параметров микросхем. Ос-
новным ограничивающим фактором в этом случае, как и для 
обычных схем на дискретных элементах, являются внутри-
схемные соединения, задержка сигнала в которых не позволяет 
полностью использовать достигаемое высокое быстродействие 
элементов. 

Download 2,59 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   ...   61




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish