Т. В. Свистова основы микроэлектроники учебное пособие

 
3.2. Интегральные конденсаторы и индуктивности 
 
Интегральные конденсаторы представляют собой эле-
менты интегральных схем, состоящие из проводящих электро-
дов (обкладок), разделенных диэлектриком и предназначенные 
для использования в электрических цепях для обеспечения 
требуемого распределения тока и напряжения между отдель-
ными элементами цепи. 
Основная часть полупроводниковых микросхем не со-
держит конденсаторов из-за их большой площади. Например, 
полупроводниковый или тонкопленочный конденсатор емко-
стью всего 50 пФ занимает приблизительно такую же пло-
щадь, как 10 биполярных или 100 МДП-транзисторов. Поэто-
му, если требуется емкость более 50 - 100 пФ, применяют 
внешние дискретные конденсаторы, для подключения которых 
в микросхемах предусматривают специальные выводы.

---

78 
В качестве конденсаторов малой емкости используются 
другие элементы. В полупроводниковых интегральных схемах 
роль конденсаторов играют обратно смещенные р-п-переходы, 
выполненные на основе транзисторной структуры в едином 
технологическом процессе. 
В биполярных транзисторных структурах в конструкции 
интегрального конденсатора используется один из переходов: 
«эмиттер - база», «база - коллектор», «коллектор - подложка». 
Эти переходы формируются диффузией и поэтому часто назы-
ваются диффузионми конденсаторами. 
Емкость конденсатора определяется емкостью перехода, 
имеющего диффузионную и барьерную составляющие. Основ-
ную роль играет барьерная емкость.
Наибольшую удельную барьерную емкость С
0
имеет пе-
реход «эмиттер-база» (рис. 3.4, а). Низкое пробивное напряже-
ние этого перехода ограничивает возможность его широкого 
применения. 
Конденсатор, сформированный на базе перехода «база - 
коллектор» (рис. 3.4, б) имеет более высокое пробивное на-
пряжение (порядка 50 В). Обычно используют переход «база - 
коллектор» при его низком обратном смещении, но одновре-
менно высоком обратном смещении перехода «коллектор - 
подложка».
Конденсаторы, сформированные на основе перехода 
«коллектор-подложка» (рис. 3.4, в) имеют ограниченное при-
менение, потому что подложка обычно заземлена по перемен-
ной составляющей тока. Однако конденсатор этого типа явля-
ется неотъемлемой частью интегральных схем с изоляцией по 
р-п-переходу. 
Иногда в интегральных схемах используют комбиниро-