Структура и электрические свойства тонких пленок (ZnO/SiO2)25

A	структуры
(см. вставку на рис. 1, a). Данный вывод
	ZnO				(101)						(102)				подтверждается анализом микрофотографий ПЭМ попе-
500															речного сечения тонких пленок (ZnO/SiO2)25 (рис. 1, b).
															Методом дифракции электронов были выявлены фазы
				(002)Intensuty,counts		10^6									аморфного SiO2, о чем свидетельствует наличие размы-
	(ZnO/SiO2)25														того гало на картинах электронной дифракции и кри-
3000
	HBL = 8.72 nm					10	6								сталлического ZnO, что проявляется в виде дугообраз-
											HBL = 8.98 nm
			(100)												ных рефлексов (см. вставку на рис. 1, b). На основании
2000						10^6
											HBL = 8.72 nm				анализа микрофотографий высокого разрешения и кар-
Intensity,counts
															тин электронной дифракции можно сделать вывод, что
1000
								1	2	3	4	5	6	7	структура прослоек ZnO является нанокристаллической.
										2Q, deg
															Анализ картин электронной дифракции показал, что в
0
15	20	25	30	35		40				45		50	55		слоях присутствуют кристаллиты двух ориентаций, опи-
				2Q, deg											сываемых соотношением (100)[001]			(110)[001], причем
				(112)				(110)						B	оси	001	нанозерен ZnO ориентированы перпендику-
															лярно плоскостям слоев многослойной структуры. Надо
			(102)		(101)					(100)					отметить, что расположение слоев относительно плос-
															кости подложки имеют некоторую разориентацию, что
															проявляется на электронной дифракции как размытие
															рефлексов.
			(002)		(001)										Таким образом, структура тонких пленок (ZnO/SiO2)25
															представляет собой многослойную систему, в которой
															слои нанокристаллического ZnO разделены прослойка-
															ми аморфного SiO2, причем ZnO в слоях имеет сильную
															текстуру с осью 001 .