|
Integral
sxema
(IS,
integral
mikrosxema)
—
juda
ixcham
(mikrominiatyur) elektron qurilma. Elementlari (diodlar, tranzistorlar,
rezistorlar, kondensatorlar va b.) konstruktiv, texnologik va elektr jihatdan
oʻzaro uzviy bogʻlangan (birlashtirilgan) va oʻta zich joylashtirilgan boʻladi.
Uzluksiz yoki diskret (uzlukli) elektr va optik signallar tarzidagi
axborotlarni qabul qilish, qayta ishlash uchun moʻljallanadi. IS quyidagi
xillarga boʻlinadi: elementlarni birlashtirish (integratsiya) usuli boʻyicha —
yaxlit (monolit) va gibrid (tarkibiy) (osma diskret elektron asboblarlan
foydalanilgan) sxemalar; ishlov beriladigan signallarning xili boʻyicha —
raqamli va analog sxemalar; IS dagi elementlar soni N (integratsiya darajasi)
boʻyicha — kichik (N< 102), oʻrta (N = 102 —103), katta (N= W— 104) va
juda katta (N>104) sxemalarga boʻlinadi. IS elektron hisoblash mashinalari,
nazorat-oʻlchash apparatlari, aloqa texnikasi va b. sohalarda qoʻllaniladi.
Integral hisob — integrallar va ularning xossalarini, hisoblash usullarini, tatbiqlarini
oʻrganuvchi matematika boʻlimi. I. h. taraqqiyoti va mazmuni differensial hisob taraqqiyoti va
mazmuni bilan uzviy bogʻliq. I. h. differensial hisob bilan birga cheksiz kichik miqdorlar analizini
(qarang Matematik analiz) tashkil qiladi. 17-asrga kelib, texnika va tabiiy fanlarning taraqqiyoti
matematika oldiga juda koʻp yangi masalalarni, jumladan, murakkab geometrik shakldagi
jismlarning
yuzini,
hajmini,
ogʻirlik markazini hisoblash masalalarini qoʻydi. Bularni
aniqlashning qadimgi eski usullari oʻrniga yangi va kuchli matematik usullar yaratish zaruriyati
tugʻildi. Shu davrda I. h. vujudga keddi. I. h.ning asosiy tushunchalari aniq va aniqmas integral
tushunchalaridir. I. h.ning turli tatbiklarida bu anikmas integrallarga mos aniq integrallarning
ahamiyati katta boʻlgani uchun ular yaxshi oʻrganilgan va qiymatlari hisoblangan jadvallar
tuzilgan.
Integral tushunchasi bir necha xaqiqiy oʻzgaruvchining funksiyalari uchun ham, kompleks
oʻzgaruvchining funksiyalari uchun ham aniqlangan va xossalari yaxshi oʻrganilgan
Integral mikrosxemalar elektr asboblarning sifat darajasidagi yangi turi bo‘lib elektron
qurilmalarning asosiy negiz elementi hisoblanadilar.
Integral mikrosxema (IMS) elektr jihatdan o‘zaro bog‘langan elektr radiomateriallar (tranzistorlar,
diodlar, rezistorlar, kondensatorlar va boshqalar) majmui bo‘lib, yagona texnologik siklda bajariladi,
ya’ni bir vatqning o‘zida yagona konstruksiya (asos)da ma’lum axborotni qayta ishlash funksiyasini
bajaradi.
IMSlarning asosiy xossasi shundaki, u murakkab funksiyalarni bajarish bilan birga kuchaytirgich,
trigger, hisoblagich, xotira qurilmasi va boshqa funksiyalarni ham bajaradi. Xuddi shu funksiyalarni
bajarish uchun diskret elementlarda mos keluvchi sxemani yig‘ish talab qilinardi.
IMSlar uchun ikki asosiy belgi mavjud: konstruktiv va texnologik. Konstruktiv belgisi shundaki,
IMSning barcha elementlari asosiy asos ichida yoki sirtida joylashadi, elektr jihatdan birlashtirilgan va
yagona qobiqga joylashtirilgan bo‘lib, yagona hisoblanadi. IMS elementlarining hammasi yoki bir
qismi va elementlararo bog‘lanishlar yagona texnologik siklda bajariladi. Shu sababli integral
mirosxemalar yuqori ishonchlilikka va kichik tannarxga ega.
Hozirgi kunda yasalish turi va hosil bo‘ladigan tuzilmaga ko‘ra IMSlarning uchta prinsipial turi
mavjud: yarim o‘tkazgichli, pardali va gibrid. Har bir IMS turi konstruksiyasi, mikrosxema tarkibiga
kiradigan element va komponentlar sonini ifodalovchi integratsiya darajasi bilan xarakterlanadi.
Element deb biror elektroradioelement (tranzistor, diod, rezistor, kondensator va boshqalar)
funksiyasini amalga oshiruvchi IMS qismiga aytiladi va u kristall yoki asosdan ajralmagan
konstruksiyada yasaladi.
IMS komponentasi deb uning diskret element funksiyasini bajaradigan, lekin avvaliga
mustaqil mahsulot kabi montaj qilinadigan qismiga aytiladi.
Asosiy IMS konstruktiv belgilaridan biri bo‘lib asos turi hisoblanadi. Bu belgiga ko‘ra
IMSlar ikki turga bo‘linadi: yarim o‘tkazgichli va dielektrik.
Asos sifatida yarim o‘tkazgichli materiallar orasida kremniy va galliy arsenidi keng
qo‘llaniladi. IMSning barcha elementlari yoki elementlarning bir qismi yarim o‘tkazgichli
monokristall plastina ko‘rinishida asos ichida joylashadi.
Dielektrik asosli IMSlarda elementlar uning sirtida joylashadi. Yarim o‘tkazgich asosli
mikrosxemalarning asosiy afzalligi – elmentlarning juda katta integratsiya darajasi
hisoblanadi, lekin uning nominal parametrlari diapazoni juda cheklangan bo‘lib ular bir -
biridan izolyatsiyalanishni talab qiladi. Dielektrik asosli mikrosxemalarning afzalligi –
elementlarning juda yaxshi izolyatsiyasi, ularning xossalarining barqarorligi, hamda
elementlar turi va elektr parametrlari tanlovining kengligi.
Do'stlaringiz bilan baham: |
