Simulation of 50-nm Gate Graphene Nanoribbon Transistors

Acknowledgments:

This work has been supported by Excellence Research and Intra-Faculty Research Grants of

Technische Universität Ilmenau, Germany, and by DFG under contract numbers SCHW 729/16-1 and PE 624/11-1.

---

Electronics 2016, 5, 3

14 of 17

Author Contributions:

Cedric Nanmeni Bondja developed the approach to account for the 1D density of

states in ATLAS, developed the transport model, and performed the simulations; Zhansong Geng performed

simulations; Ralf Granzner defined the simulated device structures and analyzed the simulation results; Jörg

Pezoldt contributed to the definition of the simulated device structures and to the interpretation of the results;

Frank Schwierz conceived the simulation study, compared the simulation results with experimental data and

simulation results from the literature, and wrote the paper.