Сигааплфни кучаттириш

Транзисторларнинг частотавий хоссалари.


2.11.
Транзистор УБ схемасида R_ю = 2 кОм юкламада ишлайди.Унинг параметрлари: r_э= 40 Ом ,r_б=200 Ом, r_к= 200 кОм.С_к 20 пФ.
Қандай частоталарда С_к сиғим таъсирида кучайтириш койффицентининг модули /К_I /
икки марта камаяди? Сигнал манбаи ички қаршилиги ҳисобга олинсин.
Ечиш: Транзисторнинг Т-симон алмаштириш схемасини чизамиз (2.37.а)-расм. )R_ю резисторидан ўтаётган ток С­_к ни қиймати кичик бўлганда паст частотада ўтаётган токдан 2-марта кичик бўлиши керак.(2.37в)-расм). r_э қаршилиги ва сигнал манбаи ички қаршиликлар кичик бўлганлиги, ҳамда уларни ҳисобга олмаса ҳам мумкинлиги учун токлар ўтказувчиликка пропарцианалдир (2.37.6)-расм: 1/ R_ю ва Y =
Масла шартига кўра,юқори частотада 1/R_Ю= Y/2.
=
Ўзгартиришлардан сўнг қуйидагини ҳосил қиламиз:
4= 1+ бундан w = /(C_KR_ю):
f =
2.12. Қуйи частоталарда транзисторнинг эмиттер токини узатиш коэффициенти h_21БО = 0.98, ва частотавий чегараси h_21БО= 5 мГц га тенг.
Топинг: А) шу транзисторнинг 10мМГц частотадаги эмиттер токини узатиш коэффициенти модулини / h_21БО/
Б) Эмиттер токини узатиш коэффициентининг модули 0,6 қийматга камаядиган частотани.
Ечиш: маълумки эмиттер токини узатиш коэффициенти h_21Б частота билан қуйидагича тенглик билан аниқланади.
h_21БО= h_21БО
Бу ерда h_{21БО –} паст частотадаги эмиттер токини узатиш коэффициенти: f_h21БО- чегаравий частота,яъни /h_21БО/=/h_21БО/ / бўлгандаги частота. Агар,/ h_21БО/= 0.98. f_h21Б= 5МГц ва f=10 мГц бўлса, у ҳолда:
/h_21БО/=
h_21Б= - 0.98 /h_21Бo/=0.6 ва fk_21Бo = 5 мГц бўлганда:
f = fh_21Б 6.24мГц ни оламиз .


2.13. Т= 300К да ишчи нуқтаси I_к= 10 мА ва U_кэ= 10 В кординаталарда бўлган транзистор қуйи частоталарда қуйидаги h- параметрларга эга бўлади: h_11э= 500Ом, h_12э= 10^-4, h₂₁= 100, h₂₂ = 50 _MKС_M
Агар f_чег=50 МГц ва С_к = 3 пФ бўлса, гибрид алмаштириш схемасининг ҳамма параметорларининг топинг.
Ечиш: Гибрид алмаштириш схемасини (2.4-расм)параметрларини хисоблашда g_s=I _k/ _Tэканлигини хисоблаймиз. Бу ерда I_к- ишчи нуқтадаги коллектор токи. _T=RT/ e – температура потенциал.
Кўрилаётган ҳолда:
g_s=10
ч_Б^,_э= 1/ g_Б^,_э= h_21э
ч_ББ^,=h_1э r_Бэ= 500-258=242 Ом.
r_{Б`к</sub>= 1/ g<sub>Б`к}= r_{Б`э</sub>/h<sub>21э</sub>= 258 / 10<sup>-4</sup>= 2,58 кОм.
g<sub>кэ</sub>= 1/ r <sub>кэ</sub>= h<sub>22э</sub> –(1+ h<sub>21э</sub> )g<sub>б`к}= 50 -101 = 10,8 0^-6 См:
r _кэ= 1/g _кэ= 92,5 кОм.
С_э= g_s/ (2 f_rez)=0,388/(2 ⁶)= 1235 0^-12 = 1235 пФ.

2.